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González Pérez, Benito

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A Simple Method to Extract the Thermal Resistance of GaN HEMTs From De-Trapping Characteristics González, Benito ; Luis C. Nunes; Jo ao L. Gomes; Joana C. Mendes; José L. Jiménez Fecha de publicación: 2023 DOI: 10.1109/LED.2023.3265766 Localización: IEEE Electron Device Letters, vol. 44, no. 6, pp. 891-894 SJR: 1,316 - Q1 JCR: 4,9 - Q2 SCIE MIAR ICDS: 11,0 Artículo
Gate Geometry-Dependent Thermal Impedance of Depletion Mode HEMTs Gonzalez, Benito ; Lazaro, Antonio; Rodriguez, Raul Fecha de publicación: 2023 DOI: 10.1109/TED.2023.3305313 Localización: IEEE Transactions on Electron Devices[ISSN 0018-9383], (Enero 2023) SJR: 0,773 - Q2 JCR: 3,1 - Q2 SCIE MIAR ICDS: 11,0 Artículo
RF Extraction of Thermal Resistance for GaN HEMTs on Silicon González, Benito ; Lazaro, A; Rodriguez, R Fecha de publicación: 2022 DOI: 10.1109/TED.2022.3159611 Localización: IEEE Transactions on Electron Devices [ISSN 0018-9383], v. 69(5), p. 2307-2312 SJR: 0,773 - Q2 JCR: 3,1 - Q2 SCIE MIAR ICDS: 11,0 Artículo
Gate Length-Dependent Thermal Impedance Characterization of PD-SOI MOSFETs González Pérez, Benito ; Cabrera Peña, José María ; Lazaro, Antonio Fecha de publicación: 2022 DOI: 10.1109/TED.2021.3132854 Localización: IEEE Transactions on Electron Devices [ISSN 0018-9383], v. 69 (2), p. 469-474, (Febrero 2022) SJR: 0,773 - Q2 JCR: 3,1 - Q2 SCIE MIAR ICDS: 11,0 Artículo
Geometric Modeling of Thermal Resistance in GaN HEMTs on Silicon Gonzalez, Benito ; De Santi, Carlo; Rampazzo, Fabiana; Meneghini, Matteo; Núñez Ordóñez, Antonio , et al. Fecha de publicación: 2020 DOI: 10.1109/TED.2020.3028358 Localización: IEEE Transactions on Electron Devices [ISSN 0018-9383], v. 67 (12), p. 5408-5414, (Diciembre 2020) SJR: 0,828 - Q1 JCR: 2,917 - Q2 SCIE Artículo
A new model of thermionic emission mechanism for non-ideal Schottky contacts and a method of extracting electrical parameters Helal, Hicham; Benamara, Zineb; González Pérez, Benito ; Kacha, Arslane Hatem; Rabehi, Abdelaziz, et al. Fecha de publicación: 2020 DOI: 10.1140/epjp/s13360-020-00916-5 Localización: European Physical Journal Plus[EISSN 2190-5444],v. 135 (11), (Noviembre 2020) SJR: 0,65 - Q2 JCR: 3,911 - Q1 SCIE Artículo
Single event effects analysis and charge collection mechanisms on AlGaN/GaN HEMTs Mateos Angulo, Sergio ; Rodríguez Del Rosario, Raúl ; Del Pino, J. ; Gonzalez, B. ; Khemchandani, S. L. Fecha de publicación: 2019 DOI: 10.1088/1361-6641/ab058a Localización: Semiconductor Science And Technology [ISSN 0268-1242], v. 34 (3), 035029 SJR: 0,79 - Q1 JCR: 2,361 - Q2 SCIE Artículo
Temperature-Dependent Thermal Capacitance Characterization for SOI-MOSFETs Gonzalez, Benito ; Aja, Beatriz; Artal, Eduardo; Lazaro, Antonio; Núñez Ordóñez, Antonio Fecha de publicación: 2019 DOI: 10.1109/TED.2019.2935500 Localización: Ieee Transactions On Electron Devices[ISSN 0018-9383],v. 66 (10), p. 4120-4125 SJR: 0,879 - Q1 JCR: 2,913 - Q2 SCIE Artículo
Thermal resistance characterization for multifinger SOI-MOSFETs Gonzalez, Benito ; Rodriguez, Raul ; Lázaro, Antonio Fecha de publicación: 2018 DOI: 10.1109/TED.2018.2853799 Localización: IEEE Transactions on Electron Devices[ISSN 0018-9383],v. 65 (8419075), p. 3626-3632 SJR: 0,853 - Q1 JCR: 2,704 - Q2 SCIE Artículo
DC gate leakage current model accounting for trapping effects in AlGaN/GaN HEMTs Rodríguez Del Rosario, Raúl ; González Pérez, Benito ; García García, Javier ; Toulon, Gaetan; Morancho, Frédéric, et al. Fecha de publicación: 2018 DOI: 10.3390/electronics7100210 Localización: Electronics (Switzerland) [ISSN 2079-9292], v. 7 (10), p. 210, (2018) SJR: 0,461 - Q1 JCR: 1,764 - Q3 SCIE Artículo
Electrothermal DC characterization of GaN on Si MOS-HEMTs Rodríguez Hernández, R.; González, B. ; García, J. ; Núñez, A. Fecha de publicación: 2017 DOI: 10.1016/j.sse.2017.08.002 Localización: Solid-State Electronics[ISSN 0038-1101],v. 137, p. 44-51 SJR: 0,492 - Q2 JCR: 1,666 - Q3 SCIE Artículo
Large-Signal DG-MOSFET Modelling for RFID Rectification Rodríguez, R.; González Pérez, Benito ; García, J. ; Lázaro, A.; Iñiguez, B., et al. Fecha de publicación: 2016 DOI: 10.1155/2016/8017139 Localización: Advances in Condensed Matter Physics[ISSN 1687-8108],v. 2016 (8017139) SJR: 0,232 - Q3 JCR: 1,044 - Q4 SCIE Artículo
Numerical simulation and compact modelling of AlGaN/GaN HEMTs with mitigation of self-heating effects by substrate materials Rodríguez, Raúl ; González, Benito ; García, Javier ; Yigletu, Fetene M.; Tirado, José M., et al. Fecha de publicación: 2015 DOI: 10.1002/pssa.201431897 Localización: Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science[ISSN 1862-6300],v. 212, p. 1130-1136 SJR: 0,688 - Q2 JCR: 1,648 - Q2 SCIE Artículo
DC self-heating effects modelling in SOI and bulk FinFETs González, B. ; Roldán, J. B.; Iñiguez, B.; Lázaro, A.; Cerdeira, A. Fecha de publicación: 2015 DOI: 10.1016/j.mejo.2015.02.003 Localización: Microelectronics Journal[ISSN 0026-2692],v. 46, p. 320-326 JCR: 0,876 - Q3 SCIE Artículo
N-well resistance modelling in Q-factor of doughnut-shaped PN varactors Marrero-Martín, M. ; González, B. ; García, J. ; Hernández Ballester, Antonio Fecha de publicación: 2015 DOI: 10.1016/j.sse.2014.10.005 Localización: Solid-State Electronics[ISSN 0038-1101],v. 103, p. 104-109 SJR: 0,642 - Q1 JCR: 1,345 - Q2 SCIE Artículo
In-depth analysis and modelling of self-heating effects in nanometric DGMOSFETs Roldán, J. B.; González, B. ; Iñiguez, B.; Roldán, A. M.; Lázaro, A., et al. Fecha de publicación: 2013 DOI: 10.1016/j.sse.2012.07.017 Localización: Solid-State Electronics[ISSN 0038-1101],v. 79, p. 179-184 SJR: 0,783 - Q1 JCR: 1,514 - Q2 SCIE Artículo
Wide range fully integrated VCO with new cells-based varactor Marrero-Martin, Margarita ; Gonzalez, Benito ; Garcia, Javier ; Khemchandani, Sunil L. ; Hernández Ballester, Antonio , et al. Fecha de publicación: 2012 DOI: 10.1080/00207217.2011.651699 Localización: International Journal of Electronics[ISSN 0020-7217],v. 99, p. 1165-1178 SJR: 0,243 - Q3 JCR: 0,509 - Q4 SCIE Artículo
Numerical dc self-heating in planar double-gate MOSFETs González, B. ; Iñiguez, B.; Lázaro, A.; Cerdeira, A. Fecha de publicación: 2011 DOI: 10.1088/0268-1242/26/9/095014 Localización: Semiconductor Science and Technology[ISSN 0268-1242],v. 26 (095014) SJR: 1,01 - Q2 JCR: 1,723 - Q1 SCIE Artículo
Capacitive model for integrated PN varactors of cells with N+ buried layer Marrero-Martín, M. ; García, J. ; González, B. ; Hernández Ballester, Antonio Fecha de publicación: 2010 DOI: 10.1002/jnm.751 Localización: Spanish Conference on Electron Devices [ISSN 2163-4971], v. 23 (4-5), p. 364-378 Artículo
Accurate planar spiral inductor simulations with a 2.5-D electromagnetic simulator Goñi, Amaya; Pino, Javier Del ; González, Benito ; Khemchandani, Sunil ; Hernández Ballester, Antonio Fecha de publicación: 2008 DOI: 10.1002/mmce.20283 Localización: International Journal of RF and Microwave Computer-Aided Engineering[ISSN 1096-4290],v. 18, p. 242-249 JCR: 0,462 - Q4 SCIE Artículo