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Investigador: gonzález pérez, benito

Tipo: artículo

Título Año
Gate Length-Dependent Thermal Impedance Characterization of PD-SOI MOSFETs González Pérez, Benito ; Cabrera Peña, José María ; Lazaro, Antonio Fecha de publicación: 2022 DOI: 10.1109/TED.2021.3132854 Localización: IEEE Transactions on Electron Devices [ISSN 0018-9383], v. 69 (2), p. 469-474, (Febrero 2022) SJR: 0,773 - Q2 JCR: 3,1 - Q2 SCIE MIAR ICDS: 11,0 Artículo
Geometric Modeling of Thermal Resistance in GaN HEMTs on Silicon Gonzalez, Benito ; De Santi, Carlo; Rampazzo, Fabiana; Meneghini, Matteo; Núñez Ordóñez, Antonio , et al. Fecha de publicación: 2020 DOI: 10.1109/TED.2020.3028358 Localización: IEEE Transactions on Electron Devices [ISSN 0018-9383], v. 67 (12), p. 5408-5414, (Diciembre 2020) SJR: 0,828 - Q1 JCR: 2,917 - Q2 SCIE Artículo
Temperature-Dependent Thermal Capacitance Characterization for SOI-MOSFETs Gonzalez, Benito ; Aja, Beatriz; Artal, Eduardo; Lazaro, Antonio; Núñez Ordóñez, Antonio Fecha de publicación: 2019 DOI: 10.1109/TED.2019.2935500 Localización: Ieee Transactions On Electron Devices[ISSN 0018-9383],v. 66 (10), p. 4120-4125 SJR: 0,879 - Q1 JCR: 2,913 - Q2 SCIE Artículo
DC gate leakage current model accounting for trapping effects in AlGaN/GaN HEMTs Rodríguez Del Rosario, Raúl ; González Pérez, Benito ; García García, Javier ; Toulon, Gaetan; Morancho, Frédéric, et al. Fecha de publicación: 2018 DOI: 10.3390/electronics7100210 Localización: Electronics (Switzerland) [ISSN 2079-9292], v. 7 (10), p. 210, (2018) SJR: 0,461 - Q1 JCR: 1,764 - Q3 SCIE Artículo
Electrothermal DC characterization of GaN on Si MOS-HEMTs Rodríguez Hernández, R.; González, B. ; García, J. ; Núñez, A. Fecha de publicación: 2017 DOI: 10.1016/j.sse.2017.08.002 Localización: Solid-State Electronics[ISSN 0038-1101],v. 137, p. 44-51 SJR: 0,492 - Q2 JCR: 1,666 - Q3 SCIE Artículo
Large-Signal DG-MOSFET Modelling for RFID Rectification Rodríguez, R.; González Pérez, Benito ; García, J. ; Lázaro, A.; Iñiguez, B., et al. Fecha de publicación: 2016 DOI: 10.1155/2016/8017139 Localización: Advances in Condensed Matter Physics[ISSN 1687-8108],v. 2016 (8017139) SJR: 0,232 - Q3 JCR: 1,044 - Q4 SCIE Artículo
Numerical simulation and compact modelling of AlGaN/GaN HEMTs with mitigation of self-heating effects by substrate materials Rodríguez, Raúl ; González, Benito ; García, Javier ; Yigletu, Fetene M.; Tirado, José M., et al. Fecha de publicación: 2015 DOI: 10.1002/pssa.201431897 Localización: Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science[ISSN 1862-6300],v. 212, p. 1130-1136 SJR: 0,688 - Q2 JCR: 1,648 - Q2 SCIE Artículo
N-well resistance modelling in Q-factor of doughnut-shaped PN varactors Marrero-Martín, M. ; González, B. ; García, J. ; Hernández Ballester, Antonio Fecha de publicación: 2015 DOI: 10.1016/j.sse.2014.10.005 Localización: Solid-State Electronics[ISSN 0038-1101],v. 103, p. 104-109 SJR: 0,642 - Q1 JCR: 1,345 - Q2 SCIE Artículo
Wide range fully integrated VCO with new cells-based varactor Marrero-Martin, Margarita ; Gonzalez, Benito ; Garcia, Javier ; Khemchandani, Sunil L. ; Hernández Ballester, Antonio , et al. Fecha de publicación: 2012 DOI: 10.1080/00207217.2011.651699 Localización: International Journal of Electronics[ISSN 0020-7217],v. 99, p. 1165-1178 SJR: 0,243 - Q3 JCR: 0,509 - Q4 SCIE Artículo
Capacitive model for integrated PN varactors of cells with N+ buried layer Marrero-Martín, M. ; García, J. ; González, B. ; Hernández Ballester, Antonio Fecha de publicación: 2010 DOI: 10.1002/jnm.751 Localización: Spanish Conference on Electron Devices [ISSN 2163-4971], v. 23 (4-5), p. 364-378 Artículo
Accurate planar spiral inductor simulations with a 2.5-D electromagnetic simulator Goñi, Amaya; Pino, Javier Del ; González, Benito ; Khemchandani, Sunil ; Hernández Ballester, Antonio Fecha de publicación: 2008 DOI: 10.1002/mmce.20283 Localización: International Journal of RF and Microwave Computer-Aided Engineering[ISSN 1096-4290],v. 18, p. 242-249 JCR: 0,462 - Q4 SCIE Artículo
Improved tolerance to operation temperature in δ-doped inverted HFETs González, B. ; Hernández Ballester, Antonio Fecha de publicación: 2007 DOI: 10.1088/0268-1242/22/4/015 Localización: Semiconductor Science and Technology [ISSN 0268-1242], v. 22 (4), p. 385-391 JCR: 1,899 - Q1 SCIE Artículo
An analytical model of electric substrate losses for planar spiral inductors on silicon Gõni, Amaya; del Pino, Javier ; González, Benito ; Hernández Ballester, Antonio Fecha de publicación: 2007 DOI: 10.1109/TED.2006.890366 Localización: IEEE Transactions on Electron Devices[ISSN 0018-9383],v. 54(3), p. 546-553 JCR: 2,165 - Q1 SCIE Artículo
Characterization of extrinsic resistances in temperature behaviour modelling of InGaAs MODFETs González, B. ; Hernández Ballester, Antonio ; García, J. ; Del Pino, F. J. ; Sendra, J. R. , et al. Fecha de publicación: 2004 DOI: 10.1088/0268-1242/19/5/015 Localización: Semiconductor Science and Technology[ISSN 0268-1242],v. 19, p. 648-654 JCR: 2,152 - Q1 SCIE Artículo
Integrated inductors modeling for library development and layout generation Sendra, José R. ; del Pino, J ; Hernández, Antonio ; Gonzalez, B ; Garcia, J , et al. Fecha de publicación: 2003 DOI: 10.1023/A:1024122430963 Localización: Analog Integrated Circuits And Signal Processing[ISSN 0925-1030],v. 35 (2-3), p. 121-132 JCR: 0,254 - Q4 SCIE Artículo
Power model for DCFL family García, J. ; Hernández Ballester, Antonio ; Del Pino, J. ; Sendra, J. R. ; González, B. , et al. Fecha de publicación: 2002 DOI: 10.1049/el:20020027 Localización: Electronics Letters[ISSN 0013-5194],v. 38, p. 13-14 SJR: 1,542 - Q1 SCIE Artículo
Models and tools for CMOS integrated inductors Del Pino, J. ; Sendra, J. R. ; Hernández Ballester, Antonio ; Khemchandani, S. L. ; Aguilera, J., et al. Fecha de publicación: 2002 DOI: 10.1023/A:1021220116195 Localización: Analog Integrated Circuits and Signal Processing[ISSN 0925-1030],v. 33, p. 171-178 JCR: 0,204 - Q4 SCIE Artículo
Static simulation of pseudomorphic heterostructure FETs at medium/high temperatures González, B. ; Hernández Ballester, Antonio ; González-Sanz, F.; Fernández De Ávila, S.; Nunez, A. Fecha de publicación: 2002 DOI: 10.1088/0268-1242/17/6/306 Localización: Semiconductor Science and Technology[ISSN 0268-1242],v. 17, p. 534-539 JCR: 1,241 - Q1 SCIE Artículo
Optimization of the δ-doped layer in P-HFETs at medium/high temperatures González, B. ; Hernández Ballester, Antonio ; García, J. ; Del Pino, J. ; Sendra, J. R. , et al. Fecha de publicación: 2000 DOI: 10.1088/0268-1242/15/4/101 Localización: Semiconductor Science and Technology[ISSN 0268-1242],v. 15 JCR: 1,169 - Q1 SCIE Artículo
Modelling of low power cw laser beam heating effects on a GaAs substrate Abbott, D; Davis, B; Gonzalez, B ; Hernández Ballester, Antonio ; Eshraghian, K Fecha de publicación: 1998 DOI: 10.1016/S0038-1101(97)00284-0 Localización: Solid-State Electronics[ISSN 0038-1101],v. 42 (5), p. 809-816 JCR: 0,883 - Q1 SCIE Artículo