García García, Javier Agustín

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Departamento: iu de microelectrónica aplicada

Investigador: hernández ballester, antonio

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Large-Signal DG-MOSFET Modelling for RFID Rectification Rodríguez, R.; González Pérez, Benito ; García, J. ; Lázaro, A.; Iñiguez, B., et al. Fecha de publicación: 2016 DOI: 10.1155/2016/8017139 Localización: Advances in Condensed Matter Physics[ISSN 1687-8108],v. 2016 (8017139) SJR: 0,232 - Q3 JCR: 1,044 - Q4 SCIE Artículo
N-well resistance modelling in Q-factor of doughnut-shaped PN varactors Marrero-Martín, M. ; González, B. ; García, J. ; Hernández Ballester, Antonio Fecha de publicación: 2015 DOI: 10.1016/j.sse.2014.10.005 Localización: Solid-State Electronics[ISSN 0038-1101],v. 103, p. 104-109 SJR: 0,642 - Q1 JCR: 1,345 - Q2 SCIE Artículo
Study of RFIDs with SOI technology for UWB Rodriguez, Raul ; Gonzalez, B. ; Garcia, J. ; Marrero Martín, Margarita Luisa ; Hernández Ballester, Antonio Fecha de publicación: 2013 DOI: 10.1109/CDE.2013.6481348 Localización: Proceedings Of The 2013 Spanish Conference On Electron Devices (Cde 2013)[ISSN 2163-4971], p. 83-86 Actas de congresos
Rectennas design using DG-MOSFETs Rodríguez, Raúl ; Gonzalez, B. ; Garcia, J. ; Marrero Martín, Margarita Luisa ; Hernández Ballester, Antonio Fecha de publicación: 2013 DOI: 10.1117/12.2017149 Localización: Vlsi Circuits And Systems Vi[ISSN 0277-786X],v. 8764 Actas de congresos
Wide range fully integrated VCO with new cells-based varactor Marrero-Martin, Margarita ; Gonzalez, Benito ; Garcia, Javier ; Khemchandani, Sunil L. ; Hernández Ballester, Antonio , et al. Fecha de publicación: 2012 DOI: 10.1080/00207217.2011.651699 Localización: International Journal of Electronics[ISSN 0020-7217],v. 99, p. 1165-1178 SJR: 0,243 - Q3 JCR: 0,509 - Q4 SCIE Artículo
Effect of separation and depth of N+ diffusions in the quality factor and tuning range of PN varactors Marrero-Martín, M. ; Szydzik, T. ; García, J. ; González, B. ; Hernández Ballester, Antonio Fecha de publicación: 2011 DOI: 10.1117/12.888663 Localización: Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering[ISSN 0277-786X],v. 8067 (80670T) Actas de congresos
Coupled varactor based on PN junction and accumulation MOS for RF applications García, J. ; Marrero-Martín, M. ; González, B. ; Aldea, I.; Hernández Ballester, Antonio Fecha de publicación: 2011 DOI: 10.1109/SCED.2011.5744225 Localización: Proceedings of the 8th Spanish Conference on Electron Devices, CDE'2011 (5744225) Actas de congresos
Circuit models for PN integrated varactors Marrero-Martín, M. ; García, J. ; González, B. ; Hernández Ballester, Antonio Fecha de publicación: 2011 DOI: 10.1109/SCED.2011.5744242 Localización: Proceedings of the 8th Spanish Conference on Electron Devices, CDE'2011 (5744242) Actas de congresos
Capacitive model for integrated PN varactors of cells with N+ buried layer Marrero-Martín, M. ; García, J. ; González, B. ; Hernández Ballester, Antonio Fecha de publicación: 2010 DOI: 10.1002/jnm.751 Localización: Spanish Conference on Electron Devices [ISSN 2163-4971], v. 23 (4-5), p. 364-378 Artículo
Equivalent circuit model for capacitances in PN varactors with buried channel Marrero-Martín, M. ; García, J. ; González, B. ; Hernández Ballester, Antonio Fecha de publicación: 2009 DOI: 10.1109/SCED.2009.4800535 Localización: Spanish Conference on Electron Devices [ISSN 2163-4971], p. 467-470 Actas de congresos
Capacitance estimation of PN varactors based on unit cells Marrero-Martín, M. ; González, B. ; García, J. ; Hernández Ballester, Antonio Fecha de publicación: 2009 DOI: 10.1109/SCED.2009.4800536 Localización: Spanish Conference on Electron Devices [ISSN 2163-4971], p. 471-474 Actas de congresos
Influence of gate geometry in integrated MOS varactors on accumulation mode for RF Amselem, E.; González, B. ; García, J. ; Aldea, I.; Marrero Martín, Margarita Luisa , et al. Fecha de publicación: 2007 DOI: 10.1109/SCED.2007.383997 Localización: 2007 Spanish Conference on Electron Devices, Proceedings (4271170), p. 68-71 Actas de congresos
A physical-based method for parameter extraction of on-chip spiral inductor Goñi, Amaya; Del Pino, Javier ; García, Javier ; González, Benito ; Khemchandani, S. L. , et al. Fecha de publicación: 2007 DOI: 10.1109/SCED.2007.384068 Localización: 2007 Spanish Conference on Electron Devices, Proceedings (4271246), p. 359-363 Actas de congresos
A study of stacked and miniature 3-D inductor performance for radio frequency integrated circuit design Iturri, A. Goñi; Del Pino, F. J. ; Khemchandani, S. L. ; García, J. ; González, B. , et al. Fecha de publicación: 2007 DOI: 10.1117/12.721913 Localización: Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering[ISSN 0277-786X],v. 6590 (65901C) Actas de congresos
Influence of the diffusion geometry on PN Integrated Varactors García, J. ; González, B. ; Marrero-Martín, M. ; Aldea, I.; Del Pino, J. , et al. Fecha de publicación: 2007 DOI: 10.1117/12.721999 Localización: Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering[ISSN 0277-786X],v. 6590 (65901E) Actas de congresos
Design and modelling of an on silicon spiral inductor library using improved EM simulations Goni-Iturri, A.; Khemchandani, S. L. ; Del Pino, F. J. ; García, J. ; González, B. , et al. Fecha de publicación: 2005 DOI: 10.1117/12.608292 Localización: Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering[ISSN 0277-786X],v. 5837 PART I (59), p. 534-541 Actas de congresos
Inductores integrados planos sobre tecnologías de silicio Pino Suárez, Francisco Javier del ; Sendra Sendra, José Ramón ; Hernández Ballester, Antonio ; González, B. ; García García, Javier , et al. Fecha de publicación: 2004 Localización: Vector Plus. Las Palmas de Gran Canaria: Fundación Universitaria, 1994- ISSN 1134-5306, n.24, 2004 Artículo
Characterization of extrinsic resistances in temperature behaviour modelling of InGaAs MODFETs González, B. ; Hernández Ballester, Antonio ; García, J. ; Del Pino, F. J. ; Sendra, J. R. , et al. Fecha de publicación: 2004 DOI: 10.1088/0268-1242/19/5/015 Localización: Semiconductor Science and Technology[ISSN 0268-1242],v. 19, p. 648-654 JCR: 2,152 - Q1 SCIE Artículo
Empirical model of the metal losses in integrated inductors Del Pino, J. ; García, J. ; González, B. ; Sendra, J. R. ; Hernández Ballester, Antonio , et al. Fecha de publicación: 2003 DOI: 10.1117/12.501210 Localización: Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering[ISSN 0277-786X],v. 5117, p. 461-469 Actas de congresos
Temperature in HFETs when operating in DC González, Benito ; Hernández Ballester, Antonio ; García, Javier ; Del Pino, F. Javier ; Sendra, José R. , et al. Fecha de publicación: 2003 DOI: 10.1117/12.501195 Localización: Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering[ISSN 0277-786X],v. 5117, p. 527-532 Actas de congresos