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González Pérez, Benito ; Masip, Laia; Lázaro, Marc; Villarino, Ramón; Girbau, David, et al. Fecha de publicación: 2024 Localización: IEEE Transactions on Electron Devices [ISSN 0018-9383], (2024) SJR: 0,785 - Q1 JCR: 3,1 - Q2 SCIE MIAR ICDS: 11,0 Artículo |
González, Benito ; Luis C. Nunes; Jo ao L. Gomes; Joana C. Mendes; José L. Jiménez Fecha de publicación: 2023 Localización: IEEE Electron Device Letters, vol. 44, no. 6, pp. 891-894 SJR: 1,25 - Q1 JCR: 4,9 - Q2 SCIE MIAR ICDS: 11,0 Artículo |
Gonzalez, Benito ; Lazaro, Antonio; Rodriguez, Raul Fecha de publicación: 2023 Localización: IEEE Transactions on Electron Devices[ISSN 0018-9383], (Enero 2023) SJR: 0,785 - Q1 JCR: 3,1 - Q2 SCIE MIAR ICDS: 11,0 Artículo |
Lazaro, M; Lazaro, A; González, B. ; Villarino, R; Girbau, D Fecha de publicación: 2022 SJR: 0,803 - Q1 JCR: 3,847 - Q1 SCIE MIAR ICDS: 10,8 |
González, Benito ; Lazaro, A; Rodriguez, R Fecha de publicación: 2022 Localización: IEEE Transactions on Electron Devices [ISSN 0018-9383], v. 69(5), p. 2307-2312 SJR: 0,773 - Q2 JCR: 3,1 - Q2 SCIE MIAR ICDS: 11,0 Artículo |
González Pérez, Benito ; Cabrera Peña, José María ; Lazaro, Antonio Fecha de publicación: 2022 Localización: IEEE Transactions on Electron Devices [ISSN 0018-9383], v. 69 (2), p. 469-474, (Febrero 2022) SJR: 0,773 - Q2 JCR: 3,1 - Q2 SCIE MIAR ICDS: 11,0 Artículo |
Gonzalez, Benito ; De Santi, Carlo; Rampazzo, Fabiana; Meneghini, Matteo; Núñez Ordóñez, Antonio , et al. Fecha de publicación: 2020 Localización: IEEE Transactions on Electron Devices [ISSN 0018-9383], v. 67 (12), p. 5408-5414, (Diciembre 2020) SJR: 0,828 - Q1 JCR: 2,917 - Q2 SCIE Artículo |
Helal, Hicham; Benamara, Zineb; González Pérez, Benito ; Kacha, Arslane Hatem; Rabehi, Abdelaziz, et al. Fecha de publicación: 2020 Localización: European Physical Journal Plus[EISSN 2190-5444],v. 135 (11), (Noviembre 2020) SJR: 0,65 - Q2 JCR: 3,911 - Q1 SCIE Artículo |
Gonzalez, Benito ; Aja, Beatriz; Artal, Eduardo; Lazaro, Antonio; Núñez Ordóñez, Antonio Fecha de publicación: 2019 Localización: Ieee Transactions On Electron Devices[ISSN 0018-9383],v. 66 (10), p. 4120-4125 SJR: 0,879 - Q1 JCR: 2,913 - Q2 SCIE Artículo |
Mateos Angulo, Sergio ; Rodríguez Del Rosario, Raúl ; Del Pino, J. ; Gonzalez, B. ; Khemchandani, S. L. Fecha de publicación: 2019 Localización: Semiconductor Science And Technology [ISSN 0268-1242], v. 34 (3), 035029 SJR: 0,79 - Q1 JCR: 2,361 - Q2 SCIE Artículo |
Rodríguez Del Rosario, Raúl ; González Pérez, Benito ; García García, Javier ; Toulon, Gaetan; Morancho, Frédéric, et al. Fecha de publicación: 2018 Localización: Electronics (Switzerland) [ISSN 2079-9292], v. 7 (10), p. 210, (2018) SJR: 0,461 - Q1 JCR: 1,764 - Q3 SCIE Artículo |
Gonzalez, Benito ; Rodriguez, Raul ; Lázaro, Antonio Fecha de publicación: 2018 Localización: IEEE Transactions on Electron Devices[ISSN 0018-9383],v. 65 (8419075), p. 3626-3632 SJR: 0,853 - Q1 JCR: 2,704 - Q2 SCIE Artículo |
Rodríguez, R. ; González, B. ; García, J. ; Núñez, A. ; Toulon, G., et al. Fecha de publicación: 2018 Localización: Proceedings of the 2018 12th Spanish Conference on Electron Devices, CDE 2018 Actas de congresos |
Rodríguez Hernández, R.; González, B. ; García, J. ; Núñez, A. Fecha de publicación: 2017 Localización: Solid-State Electronics[ISSN 0038-1101],v. 137, p. 44-51 SJR: 0,492 - Q2 JCR: 1,666 - Q3 SCIE Artículo |
Rodriguez, R. ; Gonzalez, B. ; Garcia, J. ; Vega Martínez, Aurelio ; Nunez, A. Fecha de publicación: 2017 Localización: 2017 Spanish Conference on Electron Devices, CDE 2017 (7905214) Actas de congresos |
Rodríguez Del Rosario, Raúl ; González Pérez, Benito ; García García, Javier ; Núñez Ordóñez, Antonio Fecha de publicación: 2017 Localización: Conference book 41st Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe : 21-24 May, Las Palmas de Gran Canaria (2017). ISBN: 978-84-16989-68-3. p. 44-53 Actas de congresos |
Rodríguez, R.; González Pérez, Benito ; García, J. ; Lázaro, A.; Iñiguez, B., et al. Fecha de publicación: 2016 Localización: Advances in Condensed Matter Physics[ISSN 1687-8108],v. 2016 (8017139) SJR: 0,232 - Q3 JCR: 1,044 - Q4 SCIE Artículo |
Rodríguez, Raúl ; González, Benito ; García, Javier ; Yigletu, Fetene M.; Tirado, José M., et al. Fecha de publicación: 2015 Localización: Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science[ISSN 1862-6300],v. 212, p. 1130-1136 SJR: 0,688 - Q2 JCR: 1,648 - Q2 SCIE Artículo |
Rodriguez, Raul ; Gonzalez, Benito ; Garcia, Javier ; Nunez, Antonio ; Yigletu, Fetene Mulugeta, et al. Fecha de publicación: 2015 Localización: Proceedings Of The 2015 10Th Spanish Conference On Electron Devices (Cde)[ISSN 2163-4971], p. 34-+, (2015) Actas de congresos |
González, B. ; Roldán, J. B.; Iñiguez, B.; Lázaro, A.; Cerdeira, A. Fecha de publicación: 2015 Localización: Microelectronics Journal[ISSN 0026-2692],v. 46, p. 320-326 JCR: 0,876 - Q3 SCIE Artículo |