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González Pérez, Benito

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Analytical models for PN cross varactors Pérez, J. A.; González, B. ; García, J. ; Del Pino, J. ; Khemchandani, S. L. , et al. Fecha de publicación: 2005 DOI: 10.1109/SCED.2005.1504321 Localización: 2005 Spanish Conference on Electron Devices, Proceedings,v. 2005 (1504321), p. 107-110 Actas de congresos
Design and modelling of an on silicon spiral inductor library using improved EM simulations Goni-Iturri, A.; Khemchandani, S. L. ; Del Pino, F. J. ; García, J. ; González, B. , et al. Fecha de publicación: 2005 DOI: 10.1117/12.608292 Localización: Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering[ISSN 0277-786X],v. 5837 PART I (59), p. 534-541 Actas de congresos
DC modeling of PN integrated cross varactors González, Benito ; Pérez, José Antonio; Khemchandani, Sunil L. ; Goñi-Iturri, Amaya; Pino, Javier Del , et al. Fecha de publicación: 2005 DOI: 10.1117/12.608279 Localización: Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering[ISSN 0277-786X],v. 5837 PART II (116), p. 1015-1022 Actas de congresos
Characterization of extrinsic resistances in temperature behaviour modelling of InGaAs MODFETs González, B. ; Hernández Ballester, Antonio ; García, J. ; Del Pino, F. J. ; Sendra, J. R. , et al. Fecha de publicación: 2004 DOI: 10.1088/0268-1242/19/5/015 Localización: Semiconductor Science and Technology[ISSN 0268-1242],v. 19, p. 648-654 JCR: 2,152 - Q1 SCIE Artículo
Empirical model of the metal losses in integrated inductors Del Pino, J. ; García, J. ; González, B. ; Sendra, J. R. ; Hernández Ballester, Antonio , et al. Fecha de publicación: 2003 DOI: 10.1117/12.501210 Localización: Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering[ISSN 0277-786X],v. 5117, p. 461-469 Actas de congresos
Temperature in HFETs when operating in DC González, Benito ; Hernández Ballester, Antonio ; García, Javier ; Del Pino, F. Javier ; Sendra, José R. , et al. Fecha de publicación: 2003 DOI: 10.1117/12.501195 Localización: Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering[ISSN 0277-786X],v. 5117, p. 527-532 Actas de congresos
Integrated inductors modeling for library development and layout generation Sendra, José R. ; del Pino, J ; Hernández, Antonio ; Gonzalez, B ; Garcia, J , et al. Fecha de publicación: 2003 DOI: 10.1023/A:1024122430963 Localización: Analog Integrated Circuits And Signal Processing[ISSN 0925-1030],v. 35 (2-3), p. 121-132 JCR: 0,254 - Q4 SCIE Artículo
On silicon integrated inductor library design for wireless applications Del Pino, Javier ; Sendra, José R. ; Hernández Ballester, Antonio ; García, Javier ; González, Benito , et al. Fecha de publicación: 2002 DOI: 10.1109/IECON.2002.1185344 Localización: IECON Proceedings (Industrial Electronics Conference),v. 3, p. 2376-2380 Actas de congresos
Static simulation of pseudomorphic heterostructure FETs at medium/high temperatures González, B. ; Hernández Ballester, Antonio ; González-Sanz, F.; Fernández De Ávila, S.; Nunez, A. Fecha de publicación: 2002 DOI: 10.1088/0268-1242/17/6/306 Localización: Semiconductor Science and Technology[ISSN 0268-1242],v. 17, p. 534-539 JCR: 1,241 - Q1 SCIE Artículo
Power model for DCFL family García, J. ; Hernández Ballester, Antonio ; Del Pino, J. ; Sendra, J. R. ; González, B. , et al. Fecha de publicación: 2002 DOI: 10.1049/el:20020027 Localización: Electronics Letters[ISSN 0013-5194],v. 38, p. 13-14 SJR: 1,542 - Q1 SCIE Artículo
Models and tools for CMOS integrated inductors Del Pino, J. ; Sendra, J. R. ; Hernández Ballester, Antonio ; Khemchandani, S. L. ; Aguilera, J., et al. Fecha de publicación: 2002 DOI: 10.1023/A:1021220116195 Localización: Analog Integrated Circuits and Signal Processing[ISSN 0925-1030],v. 33, p. 171-178 JCR: 0,204 - Q4 SCIE Artículo
Optimization of the delta-doped layer in P-HFETs at medium/high temperatures Gonzalez, B ; Hernández Ballester, Antonio ; Garcia, J ; del Pino, J ; Sendra, JR, et al. Fecha de publicación: 2000 Localización: Semiconductor Science And Technology[ISSN 0268-1242],v. 15 (4), p. L19-L23 JCR: 1,169 - Q1 SCIE Comentario
Optimization of the δ-doped layer in P-HFETs at medium/high temperatures González, B. ; Hernández Ballester, Antonio ; García, J. ; Del Pino, J. ; Sendra, J. R. , et al. Fecha de publicación: 2000 DOI: 10.1088/0268-1242/15/4/101 Localización: Semiconductor Science and Technology[ISSN 0268-1242],v. 15 JCR: 1,169 - Q1 SCIE Artículo
An energy relaxation time model for device simulation Gonzalez, B ; Palankovski, V; Kosina, H; Hernandez, A; Selberherr, S Fecha de publicación: 1999 DOI: 10.1016/S0038-1101(99)00132-X Localización: Solid-State Electronics[ISSN 0038-1101],v. 43 (9), p. 1791-1795 JCR: 0,928 - Q2 SCIE Artículo
Modelling of low power cw laser beam heating effects on a GaAs substrate Abbott, D; Davis, B; Gonzalez, B ; Hernández Ballester, Antonio ; Eshraghian, K Fecha de publicación: 1998 DOI: 10.1016/S0038-1101(97)00284-0 Localización: Solid-State Electronics[ISSN 0038-1101],v. 42 (5), p. 809-816 JCR: 0,883 - Q1 SCIE Artículo
Neu-MOS (νMOS) for smart sensors and extension to a novel neu-GaAs (νGaAs) paradigm Abbott, D.; Al-Sarawi, S. F.; Gonzalez, B. ; Lopez, J. ; Austin-Crowe, J., et al. Fecha de publicación: 1998 Localización: Proceedings of the IEEE International Conference on Electronics, Circuits, and Systems,v. 3, p. 397-404 Artículo
Influence of temperature and δ-doped layer concentration on P-HFETs González, Benito ; Hernández, Antonio; García, Javier ; Nunez, Antonio Fecha de publicación: 1997 Localización: International Symposium on IC Technology, Systems and Applications,v. 7, p. 394-397 Actas de congresos

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