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Hernández Ballester, Antonio

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Timimg model for SDCFL digital circuits Gómez, Luis ; Hernández Ballester, Antonio ; Núñez, Antonio Fecha de publicación: 1992 DOI: 10.1016/0165-6074(92)90132-Q Localización: Microprocessing and Microprogramming[ISSN 0165-6074],v. 34, p. 193-196 Artículo
Multiobjective optimization using analytical models of GaAs high-speed digital circuits Gómez, L. ; Hernández Ballester, Antonio ; Nunez, A. Fecha de publicación: 1993 DOI: 10.1016/0165-6074(93)90103-R Localización: Microprocessing and Microprogramming[ISSN 0165-6074],v. 39, p. 267-270 Artículo
Timing analysis for DCFL/SDCFL VLSI circuits Gómez, L. ; Hernández Ballester, Antonio ; Nunez, A. Fecha de publicación: 1993 DOI: 10.1016/0165-6074(93)90189-R Localización: Microprocessing and Microprogramming[ISSN 0165-6074],v. 38, p. 511-518 Artículo
An empirical model to estimate power consumption in GaAs DCFL/SDCFL circuits Hernández Ballester, Antonio ; Gómez, L. ; Nunez, A. Fecha de publicación: 1993 DOI: 10.1016/0165-6074(93)90008-9 Localización: Microprocessing and Microprogramming [ISSN 0165-6074], v. 37 (1-5), p. 23-26 Artículo
Modelling of low power cw laser beam heating effects on a GaAs substrate Abbott, D; Davis, B; Gonzalez, B ; Hernández Ballester, Antonio ; Eshraghian, K Fecha de publicación: 1998 DOI: 10.1016/S0038-1101(97)00284-0 Localización: Solid-State Electronics[ISSN 0038-1101],v. 42 (5), p. 809-816 JCR: 0,883 - Q1 SCIE Artículo
Optimization of the δ-doped layer in P-HFETs at medium/high temperatures González, B. ; Hernández Ballester, Antonio ; García, J. ; Del Pino, J. ; Sendra, J. R. , et al. Fecha de publicación: 2000 DOI: 10.1088/0268-1242/15/4/101 Localización: Semiconductor Science and Technology[ISSN 0268-1242],v. 15 JCR: 1,169 - Q1 SCIE Artículo
Models and tools for CMOS integrated inductors Del Pino, J. ; Sendra, J. R. ; Hernández Ballester, Antonio ; Khemchandani, S. L. ; Aguilera, J., et al. Fecha de publicación: 2002 DOI: 10.1023/A:1021220116195 Localización: Analog Integrated Circuits and Signal Processing[ISSN 0925-1030],v. 33, p. 171-178 JCR: 0,204 - Q4 SCIE Artículo
Static simulation of pseudomorphic heterostructure FETs at medium/high temperatures González, B. ; Hernández Ballester, Antonio ; González-Sanz, F.; Fernández De Ávila, S.; Nunez, A. Fecha de publicación: 2002 DOI: 10.1088/0268-1242/17/6/306 Localización: Semiconductor Science and Technology[ISSN 0268-1242],v. 17, p. 534-539 JCR: 1,241 - Q1 SCIE Artículo
Power model for DCFL family García, J. ; Hernández Ballester, Antonio ; Del Pino, J. ; Sendra, J. R. ; González, B. , et al. Fecha de publicación: 2002 DOI: 10.1049/el:20020027 Localización: Electronics Letters[ISSN 0013-5194],v. 38, p. 13-14 SJR: 1,542 - Q1 SCIE Artículo
A novel geometry for circular series connected multilevel inductors for CMOS RF integrated circuits Aguilera, Jaime; Meléndez, Juan; Berenguer, Roc; Sendra, José Ramón ; Hernández Ballester, Antonio , et al. Fecha de publicación: 2002 DOI: 10.1109/TED.2002.1003756 Localización: IEEE Transactions on Electron Devices[ISSN 0018-9383],v. 49, p. 1084-1086 JCR: 1,936 - Q1 SCIE Artículo
Inductores integrados planos sobre tecnologías de silicio Pino Suárez, Francisco Javier del ; Sendra Sendra, José Ramón ; Hernández Ballester, Antonio ; González, B. ; García García, Javier , et al. Fecha de publicación: 2004 Localización: Vector Plus. Las Palmas de Gran Canaria: Fundación Universitaria, 1994- ISSN 1134-5306, n.24, 2004 Artículo
Characterization of extrinsic resistances in temperature behaviour modelling of InGaAs MODFETs González, B. ; Hernández Ballester, Antonio ; García, J. ; Del Pino, F. J. ; Sendra, J. R. , et al. Fecha de publicación: 2004 DOI: 10.1088/0268-1242/19/5/015 Localización: Semiconductor Science and Technology[ISSN 0268-1242],v. 19, p. 648-654 JCR: 2,152 - Q1 SCIE Artículo
Improved tolerance to operation temperature in δ-doped inverted HFETs González, B. ; Hernández Ballester, Antonio Fecha de publicación: 2007 DOI: 10.1088/0268-1242/22/4/015 Localización: Semiconductor Science and Technology [ISSN 0268-1242], v. 22 (4), p. 385-391 JCR: 1,899 - Q1 SCIE Artículo
An analytical model of electric substrate losses for planar spiral inductors on silicon Gõni, Amaya; del Pino, Javier ; González, Benito ; Hernández Ballester, Antonio Fecha de publicación: 2007 DOI: 10.1109/TED.2006.890366 Localización: IEEE Transactions on Electron Devices[ISSN 0018-9383],v. 54(3), p. 546-553 JCR: 2,165 - Q1 SCIE Artículo
A VCO with on chip tank for IEEE 802.11a Khemchandani, S. L. ; Del Pino Suarez, J. ; Goñi-Iturri, Amaya; Diaz, Roberto; Hernández Ballester, Antonio Fecha de publicación: 2008 DOI: 10.1002/mop.23757 Localización: Microwave and Optical Technology Letters[ISSN 0895-2477],v. 50, p. 2632-2635 JCR: 0,743 - Q3 SCIE Artículo
Imodel: A novel tool for high-performance inductor selection Goñi, A.; Del Pino, J. ; Medina, O.; Khemchandani, S. L. ; Hernández Ballester, Antonio Fecha de publicación: 2008 Localización: Microwave Journal[ISSN 0192-6225],v. 51, p. 90-100 JCR: 0,52 - Q3 SCIE Artículo
Accurate planar spiral inductor simulations with a 2.5-D electromagnetic simulator Goñi, Amaya; Pino, Javier Del ; González, Benito ; Khemchandani, Sunil ; Hernández Ballester, Antonio Fecha de publicación: 2008 DOI: 10.1002/mmce.20283 Localización: International Journal of RF and Microwave Computer-Aided Engineering[ISSN 1096-4290],v. 18, p. 242-249 JCR: 0,462 - Q4 SCIE Artículo
A fully integrated single core VCO with a wide tuning range for DVB-H Khemchandani, Sunil Lalchand ; Del Pino Suarez, Javier ; Ortega, Roberto Diaz; Hernández Ballester, Antonio Fecha de publicación: 2009 DOI: 10.1002/mop.24318 Localización: Microwave and Optical Technology Letters[ISSN 0895-2477],v. 51, p. 1338-1343 JCR: 0,682 - Q3 SCIE Artículo
Capacitive model for integrated PN varactors of cells with N+ buried layer Marrero-Martín, M. ; García, J. ; González, B. ; Hernández Ballester, Antonio Fecha de publicación: 2010 DOI: 10.1002/jnm.751 Localización: Spanish Conference on Electron Devices [ISSN 2163-4971], v. 23 (4-5), p. 364-378 Artículo
Wide range fully integrated VCO with new cells-based varactor Marrero-Martin, Margarita ; Gonzalez, Benito ; Garcia, Javier ; Khemchandani, Sunil L. ; Hernández Ballester, Antonio , et al. Fecha de publicación: 2012 DOI: 10.1080/00207217.2011.651699 Localización: International Journal of Electronics[ISSN 0020-7217],v. 99, p. 1165-1178 SJR: 0,243 - Q3 JCR: 0,509 - Q4 SCIE Artículo