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Optical study of InP etched in methane-based plasmas by reactive ion beam etching Sendra, José Ramón ; Armelles, Gaspar; Anguita, José Fecha de publicación: 1996 DOI: 10.1088/0268-1242/11/2/016 Localización: Semiconductor Science and Technology[ISSN 0268-1242],v. 11, p. 238-242 SCIE Artículo
Optimization of the δ-doped layer in P-HFETs at medium/high temperatures González, B. ; Hernández Ballester, Antonio ; García, J. ; Del Pino, J. ; Sendra, J. R. , et al. Fecha de publicación: 2000 DOI: 10.1088/0268-1242/15/4/101 Localización: Semiconductor Science and Technology[ISSN 0268-1242],v. 15 JCR: 1,169 - Q1 SCIE Artículo
Optimization of the delta-doped layer in P-HFETs at medium/high temperatures Gonzalez, B ; Hernández Ballester, Antonio ; Garcia, J ; del Pino, J ; Sendra, JR, et al. Fecha de publicación: 2000 Localización: Semiconductor Science And Technology[ISSN 0268-1242],v. 15 (4), p. L19-L23 JCR: 1,169 - Q1 SCIE Comentario
Static simulation of pseudomorphic heterostructure FETs at medium/high temperatures González, B. ; Hernández Ballester, Antonio ; González-Sanz, F.; Fernández De Ávila, S.; Nunez, A. Fecha de publicación: 2002 DOI: 10.1088/0268-1242/17/6/306 Localización: Semiconductor Science and Technology[ISSN 0268-1242],v. 17, p. 534-539 JCR: 1,241 - Q1 SCIE Artículo
Characterization of extrinsic resistances in temperature behaviour modelling of InGaAs MODFETs González, B. ; Hernández Ballester, Antonio ; García, J. ; Del Pino, F. J. ; Sendra, J. R. , et al. Fecha de publicación: 2004 DOI: 10.1088/0268-1242/19/5/015 Localización: Semiconductor Science and Technology[ISSN 0268-1242],v. 19, p. 648-654 JCR: 2,152 - Q1 SCIE Artículo
Improved tolerance to operation temperature in δ-doped inverted HFETs González, B. ; Hernández Ballester, Antonio Fecha de publicación: 2007 DOI: 10.1088/0268-1242/22/4/015 Localización: Semiconductor Science and Technology [ISSN 0268-1242], v. 22 (4), p. 385-391 JCR: 1,899 - Q1 SCIE Artículo
Numerical dc self-heating in planar double-gate MOSFETs González, B. ; Iñiguez, B.; Lázaro, A.; Cerdeira, A. Fecha de publicación: 2011 DOI: 10.1088/0268-1242/26/9/095014 Localización: Semiconductor Science and Technology[ISSN 0268-1242],v. 26 (095014) SJR: 1,01 - Q2 JCR: 1,723 - Q1 SCIE Artículo
SET analysis and radiation hardening techniques for CMOS LNA topologies Mateos Angulo, Sergio ; San Miguel Montesdeoca, Mario ; Mayor Duarte, Daniel ; Khemchandani, S. L. ; javier del pino suarez Fecha de publicación: 2018 DOI: 10.1088/1361-6641/aacff2 Localización: Semiconductor Science and Technology[ISSN 0268-1242],v. 33 (085010) SJR: 0,744 - Q1 JCR: 2,654 - Q2 SCIE Artículo
Single event effects analysis and charge collection mechanisms on AlGaN/GaN HEMTs Mateos Angulo, Sergio ; Rodríguez Del Rosario, Raúl ; Del Pino, J. ; Gonzalez, B. ; Khemchandani, S. L. Fecha de publicación: 2019 DOI: 10.1088/1361-6641/ab058a Localización: Semiconductor Science And Technology [ISSN 0268-1242], v. 34 (3), 035029 SJR: 0,79 - Q1 JCR: 2,361 - Q2 SCIE Artículo