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Marrero-Martín, M. ; García, J. ; González, B. ; Hernández Ballester, Antonio Fecha de publicación: 2010 Localización: Spanish Conference on Electron Devices [ISSN 2163-4971], v. 23 (4-5), p. 364-378 Artículo |
Marrero-Martin, Margarita ; Gonzalez, Benito ; Garcia, Javier ; Khemchandani, Sunil L. ; Hernández Ballester, Antonio , et al. Fecha de publicación: 2012 Localización: International Journal of Electronics[ISSN 0020-7217],v. 99, p. 1165-1178 SJR: 0,243 - Q3 JCR: 0,509 - Q4 SCIE Artículo |
Marrero-Martín, M. ; González, B. ; García, J. ; Hernández Ballester, Antonio Fecha de publicación: 2015 Localización: Solid-State Electronics[ISSN 0038-1101],v. 103, p. 104-109 SJR: 0,642 - Q1 JCR: 1,345 - Q2 SCIE Artículo |
Torti, Emanuele; Florimbi, Giordana; Castelli, Francesca; Ortega, Samuel ; Fabelo, Himar , et al. Fecha de publicación: 2018 Localización: Electronics (Switzerland) [2079-9292],v. 7 (283) SJR: 0,461 - Q1 JCR: 1,764 - Q3 SCIE Artículo |
Lazcano, Raquel; Madronal, Daniel; Florimbi, Giordana; Sancho, Jaime; Sanchez, Sergio, et al. Fecha de publicación: 2019 Localización: IEEE Access [ISSN 2169-3536], v. 7, p. 152316-152333, (2019) SJR: 0,775 - Q1 JCR: 3,745 - Q1 SCIE Artículo |
Florimbi, Giordana; Fabelo Gómez, Himar Antonio ; Torti, Emanuele; Ortega Sarmiento, Samuel ; Marrero Martín, Margarita Luisa , et al. Fecha de publicación: 2020 Localización: IEEE Access [ISSN 2169-3536], v. 8, p. 8485 - 8501 SJR: 0,587 - Q1 JCR: 3,367 - Q2 SCIE Artículo |
Sandoval González, Juan Domingo ; Delgado Morales, Keyla ; Fariña Santana, Esteban David ; de la Puente, Fernando ; Esper-Chaín Falcón, Roberto , et al. Fecha de publicación: 2022 Localización: Applied Sciences (Switzerland) [EISSN 2076-3417], v. 12 (21), 11087, (Noviembre 2022) SJR: 0,507 - Q2 JCR: 2,7 - Q2 SCIE MIAR ICDS: 10,5 Artículo |