Identificador persistente para citar o vincular este elemento:
http://hdl.handle.net/10553/51593
Título: | Reactive ion beam etching of indium phosphide in electron cyclotron resonance plasma using methane/hydrogen/nitrogen mixtures | Autores/as: | Sendra, José Ramón Anguita, José |
Fecha de publicación: | 1994 | Editor/a: | 0021-4922 | Publicación seriada: | Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters | URI: | http://hdl.handle.net/10553/51593 | ISSN: | 0021-4922 | DOI: | 10.1143/JJAP.33.L390 | Fuente: | Japanese Journal of Applied Physics[ISSN 0021-4922],v. 33, p. L390-L393 |
Colección: | Artículos |
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