Identificador persistente para citar o vincular este elemento:
https://accedacris.ulpgc.es/handle/10553/51593
| Título: | Reactive ion beam etching of indium phosphide in electron cyclotron resonance plasma using methane/hydrogen/nitrogen mixtures | Autores/as: | Sendra, José Ramón Anguita, José |
Fecha de publicación: | 1994 | Editor/a: | 0021-4922 | Publicación seriada: | Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters | URI: | https://accedacris.ulpgc.es/handle/10553/51593 | ISSN: | 0021-4922 | DOI: | 10.1143/JJAP.33.L390 | Fuente: | Japanese Journal of Applied Physics[ISSN 0021-4922],v. 33, p. L390-L393 |
| Colección: | Artículos |
Citas SCOPUSTM
27
actualizado el 08-jun-2025
Citas de WEB OF SCIENCETM
Citations
28
actualizado el 08-jun-2025
Visitas
83
actualizado el 15-feb-2025
Google ScholarTM
Verifica
Altmetric
Comparte
Exporta metadatos
Los elementos en ULPGC accedaCRIS están protegidos por derechos de autor con todos los derechos reservados, a menos que se indique lo contrario.