Identificador persistente para citar o vincular este elemento:
http://hdl.handle.net/10553/51589
Título: | Resonant Raman scattering study of InSb etched by reactive ion beam etching | Autores/as: | Sendra, J. R. Armelles, G. Utzmeier, T. Anguita, J. Briones, F. |
Fecha de publicación: | 1996 | Editor/a: | 0021-8979 | Publicación seriada: | Journal of Applied Physics | URI: | http://hdl.handle.net/10553/51589 | ISSN: | 0021-8979 | DOI: | 10.1063/1.362472 | Fuente: | Journal of Applied Physics[ISSN 0021-8979],v. 79, p. 8853-8855 |
Colección: | Artículos |
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