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http://hdl.handle.net/10553/46925
| Título: | DC modeling of PN integrated cross varactors | Autores/as: | González, Benito Pérez, José Antonio Khemchandani, Sunil L. Goñi-Iturri, Amaya Pino, Javier Del García, Javier |
Clasificación UNESCO: | 3307 Tecnología electrónica | Palabras clave: | Mos Varactors Capacitance Diffusions Reverse modeling Capacitors, et al. |
Fecha de publicación: | 2005 | Publicación seriada: | Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering | Conferencia: | Conference on VLSI Circuits and Systems II | Resumen: | In this paper models for the capacitance of cross integrated varactors based in the PN junction are presented. Three different approximations are assumed, in order to reproduce the measured results of the capacitance. The relative error with the measured capacitance is under 10% in all cases. | URI: | http://hdl.handle.net/10553/46925 | ISBN: | 0-8194-5832-5 | ISSN: | 0277-786X | DOI: | 10.1117/12.608279 | Fuente: | Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering[ISSN 0277-786X],v. 5837 PART II (116), p. 1015-1022 |
| Colección: | Actas de congresos |
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