Identificador persistente para citar o vincular este elemento:
http://hdl.handle.net/10553/46925
Campo DC | Valor | idioma |
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dc.contributor.author | González, Benito | en_US |
dc.contributor.author | Pérez, José Antonio | en_US |
dc.contributor.author | Khemchandani, Sunil L. | en_US |
dc.contributor.author | Goñi-Iturri, Amaya | en_US |
dc.contributor.author | Pino, Javier Del | en_US |
dc.contributor.author | García, Javier | en_US |
dc.contributor.other | Garcia Garcia, Javier | - |
dc.contributor.other | del Pino, Javier | - |
dc.date.accessioned | 2018-11-23T09:27:36Z | - |
dc.date.available | 2018-11-23T09:27:36Z | - |
dc.date.issued | 2005 | en_US |
dc.identifier.isbn | 0-8194-5832-5 | en_US |
dc.identifier.issn | 0277-786X | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10553/46925 | - |
dc.description.abstract | In this paper models for the capacitance of cross integrated varactors based in the PN junction are presented. Three different approximations are assumed, in order to reproduce the measured results of the capacitance. The relative error with the measured capacitance is under 10% in all cases. | en_US |
dc.language | eng | en_US |
dc.relation.ispartof | Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering | en_US |
dc.source | Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering[ISSN 0277-786X],v. 5837 PART II (116), p. 1015-1022 | en_US |
dc.subject | 3307 Tecnología electrónica | en_US |
dc.subject.other | Mos Varactors | en_US |
dc.subject.other | Capacitance | en_US |
dc.subject.other | Diffusions | en_US |
dc.subject.other | Reverse modeling | en_US |
dc.subject.other | Capacitors | en_US |
dc.subject.other | Semiconductors | en_US |
dc.title | DC modeling of PN integrated cross varactors | en_US |
dc.type | info:eu-repo/semantics/conferenceObject | en_US |
dc.type | ConferenceObject | en_US |
dc.relation.conference | Conference on VLSI Circuits and Systems II | en_US |
dc.identifier.doi | 10.1117/12.608279 | en_US |
dc.identifier.scopus | 28344456220 | - |
dc.identifier.isi | 000231723000104 | - |
dcterms.isPartOf | VLSI Circuits and Systems II, Pts 1 and 2 | - |
dcterms.source | VLSI Circuits and Systems II, Pts 1 and 2[ISSN 0277-786X],v. 5837, p. 1015-1022 | - |
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dc.description.lastpage | 1022 | en_US |
dc.identifier.issue | 116 | - |
dc.description.firstpage | 1015 | en_US |
dc.relation.volume | 5837 PART II | en_US |
dc.investigacion | Ingeniería y Arquitectura | en_US |
dc.type2 | Actas de congresos | en_US |
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dc.date.coverdate | Diciembre 2005 | en_US |
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crisitem.author.dept | GIR IUMA: Tecnología Microelectrónica | - |
crisitem.author.dept | IU de Microelectrónica Aplicada | - |
crisitem.author.dept | Departamento de Ingeniería Electrónica y Automática | - |
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crisitem.author.fullName | González Pérez, Benito | - |
crisitem.author.fullName | Khemchandani Lalchand, Sunil | - |
crisitem.author.fullName | Del Pino Suárez, Francisco Javier | - |
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crisitem.event.eventsstartdate | 09-05-2005 | - |
crisitem.event.eventsenddate | 11-05-2005 | - |
Colección: | Actas de congresos |
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