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Aguilera, Jaime; Meléndez, Juan; Berenguer, Roc; Sendra, José Ramón ; Hernández Ballester, Antonio , et al Issued date: 2002 Source: IEEE Transactions on Electron Devices[ISSN 0018-9383],v. 49, p. 1084-1086 JCR: 1,936 - Q1 SCIE Artículo |
Gõni, Amaya; del Pino, Javier ; González, Benito ; Hernández Ballester, Antonio Issued date: 2007 Source: IEEE Transactions on Electron Devices[ISSN 0018-9383],v. 54(3), p. 546-553 JCR: 2,165 - Q1 SCIE Artículo |
Gonzalez, Benito ; Aja, Beatriz; Artal, Eduardo; Lazaro, Antonio; Núñez Ordóñez, Antonio Issued date: 2019 Source: Ieee Transactions On Electron Devices[ISSN 0018-9383],v. 66 (10), p. 4120-4125 SJR: 0,879 - Q1 JCR: 2,913 - Q2 SCIE Artículo |
Gonzalez, Benito ; De Santi, Carlo; Rampazzo, Fabiana; Meneghini, Matteo; Núñez Ordóñez, Antonio , et al Issued date: 2020 Source: IEEE Transactions on Electron Devices [ISSN 0018-9383], v. 67 (12), p. 5408-5414, (Diciembre 2020) SJR: 0,828 - Q1 JCR: 2,917 - Q2 SCIE Artículo |
González Pérez, Benito ; Cabrera Peña, José María ; Lazaro, Antonio Issued date: 2022 Source: IEEE Transactions on Electron Devices [ISSN 0018-9383], v. 69 (2), p. 469-474, (Febrero 2022) SJR: 0,773 - Q2 JCR: 3,1 - Q2 SCIE MIAR ICDS: 11,0 Artículo |