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Aguilera, Jaime; Meléndez, Juan; Berenguer, Roc; Sendra, José Ramón ; Hernández Ballester, Antonio , et al
Issued date: 2002
Source: IEEE Transactions on Electron Devices[ISSN 0018-9383],v. 49, p. 1084-1086
JCR: 1,936
- Q1
SCIE
Artículo
Gõni, Amaya; del Pino, Javier ; González, Benito ; Hernández Ballester, Antonio 
Issued date: 2007
Source: IEEE Transactions on Electron Devices[ISSN 0018-9383],v. 54(3), p. 546-553
JCR: 2,165
- Q1
SCIE
Artículo
Gonzalez, Benito ; Rodriguez, Raul ; Lázaro, Antonio
Issued date: 2018
Source: IEEE Transactions on Electron Devices[ISSN 0018-9383],v. 65 (8419075), p. 3626-3632
SJR: 0,853
- Q1
JCR: 2,704
- Q2
SCIE
Artículo
Gonzalez, Benito ; Aja, Beatriz; Artal, Eduardo; Lazaro, Antonio; Núñez Ordóñez, Antonio 
Issued date: 2019
Source: Ieee Transactions On Electron Devices[ISSN 0018-9383],v. 66 (10), p. 4120-4125
SJR: 0,879
- Q1
JCR: 2,913
- Q2
SCIE
Artículo
Gonzalez, Benito ; De Santi, Carlo; Rampazzo, Fabiana; Meneghini, Matteo; Núñez Ordóñez, Antonio , et al
Issued date: 2020
Source: IEEE Transactions on Electron Devices [ISSN 0018-9383], v. 67 (12), p. 5408-5414, (Diciembre 2020)
SJR: 0,828
- Q1
JCR: 2,917
- Q2
SCIE
Artículo
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González, Benito ; Lazaro, A; Rodriguez, R
Issued date: 2022
Source: IEEE Transactions on Electron Devices [ISSN 0018-9383], v. 69(5), p. 2307-2312
SJR: 0,695
- Q2
JCR: 3,221
- Q2
SCIE
MIAR ICDS: 11,0
Artículo
González Pérez, Benito ; Cabrera Peña, José María ; Lazaro, Antonio
Issued date: 2022
Source: IEEE Transactions on Electron Devices [ISSN 0018-9383], v. 69 (2), p. 469-474, (Febrero 2022)
SJR: 0,695
- Q2
JCR: 3,221
- Q2
SCIE
MIAR ICDS: 11,0
Artículo