Identificador persistente para citar o vincular este elemento:
http://hdl.handle.net/10553/46917
| Título: | DC thermal numerical simulation of DG MOSFET | Autores/as: | González, B. Iñiguez, B. Lazaro, A. Cerdeira, A. |
Clasificación UNESCO: | 3307 Tecnología electrónica | Palabras clave: | Thermal conductivity Thermal resistance MOSFET circuits Logic gates Silicon, et al. |
Fecha de publicación: | 2011 | Conferencia: | 8th Spanish Conference on Electron Devices, CDE 2011 | Resumen: | DC numerical simulations of a Double-Gate (DG) MOSFET are performed including self-heating. Considering proper thermal conductivity, hydrodynamic model and optimizing pads, the resulting maximum lattice temperature of the transistor is 345 K, being located in channel layer, at the drain extension. | URI: | http://hdl.handle.net/10553/46917 | ISBN: | 9781424478637 | DOI: | 10.1109/SCED.2011.5744223 | Fuente: | Proceedings of the 8th Spanish Conference on Electron Devices, CDE'2011 (5744223) |
| Colección: | Actas de congresos |
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actualizado el 22-jul-2023
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