Identificador persistente para citar o vincular este elemento: http://hdl.handle.net/10553/46917
Título: DC thermal numerical simulation of DG MOSFET
Autores/as: González, B. 
Iñiguez, B.
Lazaro, A.
Cerdeira, A.
Clasificación UNESCO: 3307 Tecnología electrónica
Palabras clave: Thermal conductivity
Thermal resistance
MOSFET circuits
Logic gates
Silicon, et al.
Fecha de publicación: 2011
Conferencia: 8th Spanish Conference on Electron Devices, CDE 2011 
Resumen: DC numerical simulations of a Double-Gate (DG) MOSFET are performed including self-heating. Considering proper thermal conductivity, hydrodynamic model and optimizing pads, the resulting maximum lattice temperature of the transistor is 345 K, being located in channel layer, at the drain extension.
URI: http://hdl.handle.net/10553/46917
ISBN: 9781424478637
DOI: 10.1109/SCED.2011.5744223
Fuente: Proceedings of the 8th Spanish Conference on Electron Devices, CDE'2011 (5744223)
Colección:Actas de congresos
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