Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/10553/7405
Title: Potencia máxima de un haz láser pulsante para la caracterización del arseniuro de galio 
Authors: Pino Suárez, Francisco Javier del 
García, J. 
Sendra Pons, Juan Rafael
Hernández, A.
Ballestín González, Francisco
UNESCO Clasification: 22 Física
Issue Date: 2002
Journal: Vector Plus 
Abstract: En este trabajo se indican los límites de utilización de una técnica de caracterización de semiconductores basada en la iluminación del material con un haz láser. Algunas propiedades físicas de los materiales semiconductores pueden medirse mediante iluminación con radiación láser y el posterior tratamiento de los fenómenos de conducción producidos.
Some physical properties ofsemiconductor materials can bemeasured by applying a laser beamon and analyzing the resultingconduction phenomena. However,incident radiation may increase thematerial temperature to the point ofturning out erroneous measuredvalues.This work deals with the study ofthis technique when applied to thecharacterization of GaAs material.The analysis method is based onnumerical simulation, underexperimental constraints, of theactual situation. The results limit themaximum applied laser beam power,maintaining the material temperatureinto acceptable values.
URI: http://hdl.handle.net/10553/7405
ISSN: 1134-5306
Source: Vector Plus [ISSN 1134-5306], n. 19, p. 28-33
URL: http://dialnet.unirioja.es/servlet/articulo?codigo=1972151
Appears in Collections:Artículos
Vector plus. n.19, 2002 
Thumbnail
Adobe PDF (260,38 kB)
Show full item record

Page view(s)

3
checked on Apr 4, 2020

Download(s)

1
checked on Apr 4, 2020

Google ScholarTM

Check


Share



Export metadata



Items in accedaCRIS are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.