Potencia máxima de un haz láser pulsante para la caracterización del arseniuro de galio

Abstract

En este trabajo se indican los límites de utilización de una técnica de caracterización de semiconductores basada en la iluminación del material con un haz láser. Algunas propiedades físicas de los materiales semiconductores pueden medirse mediante iluminación con radiación láser y el posterior tratamiento de los fenómenos de conducción producidos.

Some physical properties ofsemiconductor materials can bemeasured by applying a laser beamon and analyzing the resultingconduction phenomena. However,incident radiation may increase thematerial temperature to the point ofturning out erroneous measuredvalues.This work deals with the study ofthis technique when applied to thecharacterization of GaAs material.The analysis method is based onnumerical simulation, underexperimental constraints, of theactual situation. The results limit themaximum applied laser beam power,maintaining the material temperatureinto acceptable values.