Identificador persistente para citar o vincular este elemento: http://hdl.handle.net/10553/51592
Título: InP tunnel junctions grown by atomic layer molecular beam epitaxy on InP and InP-on-Si substrates
Autores/as: Dotor, M. L.
Golmayo, D.
Calle, A.
Sendra, J. R. 
Anguita, J. V.
Gonzalez, L.
Gonzalez, Y.
Briones, F.
Fecha de publicación: 1995
Editor/a: 0927-0248
Publicación seriada: Solar Energy Materials and Solar Cells 
URI: http://hdl.handle.net/10553/51592
ISSN: 0927-0248
DOI: 10.1016/0927-0248(94)00178-2
Fuente: Solar Energy Materials and Solar Cells[ISSN 0927-0248],v. 36, p. 271-276
Colección:Artículos
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