Identificador persistente para citar o vincular este elemento:
http://hdl.handle.net/10553/51590
| Título: | Optical study of InP etched in methane-based plasmas by reactive ion beam etching | Autores/as: | Sendra, José Ramón Armelles, Gaspar Anguita, José |
Fecha de publicación: | 1996 | Editor/a: | 0268-1242 | Publicación seriada: | Semiconductor Science and Technology | URI: | http://hdl.handle.net/10553/51590 | ISSN: | 0268-1242 | DOI: | 10.1088/0268-1242/11/2/016 | Fuente: | Semiconductor Science and Technology[ISSN 0268-1242],v. 11, p. 238-242 |
| Colección: | Artículos |
Citas SCOPUSTM
9
actualizado el 17-nov-2024
Citas de WEB OF SCIENCETM
Citations
7
actualizado el 17-nov-2024
Visitas
61
actualizado el 09-nov-2024
Google ScholarTM
Verifica
Altmetric
Comparte
Exporta metadatos
Los elementos en ULPGC accedaCRIS están protegidos por derechos de autor con todos los derechos reservados, a menos que se indique lo contrario.