Identificador persistente para citar o vincular este elemento: http://hdl.handle.net/10553/46926
Título: Analytical models for PN cross varactors
Autores/as: Pérez, J. A.
González, B. 
García, J. 
Del Pino, J. 
Khemchandani, S. L. 
Hernández Ballester, Antonio 
Clasificación UNESCO: 3307 Tecnología electrónica
Palabras clave: Mos Varactors
semiconductor device models
capacitance measurement
p-n junctions
Fecha de publicación: 2005
Publicación seriada: 2005 Spanish Conference on Electron Devices, Proceedings
Conferencia: 5th Spanish Conference on Electron Devices 
Resumen: In this paper, models for the capacitance of cross integrated varactors based in the PN junction are presented. Three different approximations are assumed, in order to reproduce the measured results of the capacitance. The relative error with the measured capacitance is under 10% in all cases.
URI: http://hdl.handle.net/10553/46926
ISBN: 0-7803-8810-0
DOI: 10.1109/SCED.2005.1504321
Fuente: 2005 Spanish Conference on Electron Devices, Proceedings,v. 2005 (1504321), p. 107-110
Colección:Actas de congresos
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