Identificador persistente para citar o vincular este elemento:
http://hdl.handle.net/10553/46926
Campo DC | Valor | idioma |
---|---|---|
dc.contributor.author | Pérez, J. A. | en_US |
dc.contributor.author | González, B. | en_US |
dc.contributor.author | García, J. | en_US |
dc.contributor.author | Del Pino, J. | en_US |
dc.contributor.author | Khemchandani, S. L. | en_US |
dc.contributor.author | Hernández Ballester, Antonio | en_US |
dc.contributor.other | del Pino, Javier | - |
dc.contributor.other | Garcia Garcia, Javier Agustin | - |
dc.date.accessioned | 2018-11-23T09:28:07Z | - |
dc.date.available | 2018-11-23T09:28:07Z | - |
dc.date.issued | 2005 | en_US |
dc.identifier.isbn | 0-7803-8810-0 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10553/46926 | - |
dc.description.abstract | In this paper, models for the capacitance of cross integrated varactors based in the PN junction are presented. Three different approximations are assumed, in order to reproduce the measured results of the capacitance. The relative error with the measured capacitance is under 10% in all cases. | en_US |
dc.language | eng | en_US |
dc.relation.ispartof | 2005 Spanish Conference on Electron Devices, Proceedings | en_US |
dc.source | 2005 Spanish Conference on Electron Devices, Proceedings,v. 2005 (1504321), p. 107-110 | en_US |
dc.subject | 3307 Tecnología electrónica | en_US |
dc.subject.other | Mos Varactors | en_US |
dc.subject.other | semiconductor device models | en_US |
dc.subject.other | capacitance measurement | en_US |
dc.subject.other | p-n junctions | en_US |
dc.title | Analytical models for PN cross varactors | en_US |
dc.type | info:eu-repo/semantics/conferenceObject | en_US |
dc.type | ConferenceObject | en_US |
dc.relation.conference | 5th Spanish Conference on Electron Devices | en_US |
dc.identifier.doi | 10.1109/SCED.2005.1504321 | en_US |
dc.identifier.scopus | 33745697869 | - |
dc.identifier.isi | 000230064900025 | - |
dcterms.isPartOf | 2005 Spanish Conference on Electron Devices, Proceedings | - |
dcterms.source | 2005 Spanish Conference on Electron Devices, Proceedings, p. 107-110 | - |
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dc.description.lastpage | 110 | en_US |
dc.identifier.issue | 1504321 | - |
dc.description.firstpage | 107 | en_US |
dc.relation.volume | 2005 | en_US |
dc.investigacion | Ingeniería y Arquitectura | en_US |
dc.type2 | Actas de congresos | en_US |
dc.identifier.wos | WOS:000230064900025 | - |
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dc.date.coverdate | 2005 | en_US |
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crisitem.author.dept | GIR IUMA: Tecnología Microelectrónica | - |
crisitem.author.dept | IU de Microelectrónica Aplicada | - |
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crisitem.author.orcid | 0000-0001-6864-9736 | - |
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crisitem.author.orcid | 0000-0003-2610-883X | - |
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crisitem.author.fullName | González Pérez, Benito | - |
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crisitem.author.fullName | Del Pino Suárez, Francisco Javier | - |
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crisitem.author.fullName | Hernández Ballester, Antonio | - |
crisitem.event.eventsstartdate | 02-02-2005 | - |
crisitem.event.eventsenddate | 04-02-2005 | - |
Colección: | Actas de congresos |
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