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http://hdl.handle.net/10553/45087
| Campo DC | Valor | idioma |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Núñez Ordóñez, Antonio | en_US |
| dc.contributor.author | Sarmiento Rodríguez, Roberto | en_US |
| dc.contributor.author | Esper-Chaín Falcón, Roberto | en_US |
| dc.contributor.author | Jakobsen, J. | en_US |
| dc.contributor.author | Montiel- Nelson, Juan A. | en_US |
| dc.contributor.author | López Feliciano, José | en_US |
| dc.contributor.author | De Armas Sosa, Valentín | en_US |
| dc.contributor.author | Tobajas Guerrero, Félix Bernardo | en_US |
| dc.contributor.other | Sarmiento, Roberto | - |
| dc.contributor.other | Lopez, Jose | - |
| dc.contributor.other | Montiel-Nelson, Juan A. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-11-22T07:10:13Z | - |
| dc.date.available | 2018-11-22T07:10:13Z | - |
| dc.date.issued | 1997 | en_US |
| dc.identifier.isbn | 0-7803-4083-3 | en_US |
| dc.identifier.issn | 1064-7775 | en_US |
| dc.identifier.other | Scopus | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10553/45087 | - |
| dc.description.abstract | This paper reports on work done by project GARDEN under EU ESPRIT Research Programme in the past three years for developing ATM line units and ATM switch fabric operating at 2.5 Gb/s, and ongoing work for system upgrading to 10 Gb/s operation. A circuit of each type of unit is presented. This project has required the detailed specification of the system architecture, partitioning, interconnection, and technology mapping of the ATM functions into different chips, the development of full custom layout methodology and tools for MESFET HGaAs III, IV and HEMT technologies, and the actual design, fabrication and test of a set of IC's performing physical layer, ATM layers buffering and switching functions. | en_US |
| dc.language | eng | en_US |
| dc.publisher | Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) | en_US |
| dc.relation.ispartof | IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium | en_US |
| dc.source | IEEE-CAS Region 8 Workshop on Analog and Mixed IC Design, Proceedings, p. 101-104, (Diciembre 1997) | en_US |
| dc.subject | 3307 Tecnología electrónica | en_US |
| dc.subject.other | Gallium arsenide | en_US |
| dc.subject.other | Asynchronous transfer mode | en_US |
| dc.subject.other | Switches | en_US |
| dc.subject.other | MESFET integrated circuits | en_US |
| dc.title | GaAs ICs for 10 Gb/s ATM switching | en_US |
| dc.type | info:eu-repo/semantics/conferenceObject | en_US |
| dc.type | ConferenceObject | en_US |
| dc.relation.conference | 19th Annual IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium | en_US |
| dc.identifier.doi | 10.1109/GAAS.1997.628247 | en_US |
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| dcterms.isPartOf | Gaas Ic Symposium - 19Th Annual, Technical Digest 1997 | - |
| dcterms.source | Gaas Ic Symposium - 19Th Annual, Technical Digest 1997[ISSN 1064-7775], p. 101-104 | - |
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| dc.investigacion | Ingeniería y Arquitectura | en_US |
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| dc.date.coverdate | Diciembre 1997 | en_US |
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| Colección: | Actas de congresos | |
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