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Núñez Ordóñez, Antonio

Título Año
Geometric Modeling of Thermal Resistance in GaN HEMTs on Silicon Gonzalez, Benito ; De Santi, Carlo; Rampazzo, Fabiana; Meneghini, Matteo; Núñez Ordóñez, Antonio , et al. Fecha de publicación: 2020 DOI: 10.1109/TED.2020.3028358 Localización: IEEE Transactions on Electron Devices [ISSN 0018-9383], v. 67 (12), p. 5408-5414, (Diciembre 2020) SJR: 0,828 - Q1 JCR: 2,917 - Q2 SCIE Artículo
Earth-Moon Barycentre Excursions and Anomalous Quaternary Sea Level Highstands Meco Cabrera, Joaquín Francisco ; Sendino, Consuelo; Lomoschitz Mora-Figueroa, Alejandro ; Núñez Ordóñez, Antonio ; Huertas, María José, et al. Fecha de publicación: 2022 DOI: 10.4236/ijg.2022.138034 Localización: International Journal Of Geosciences [ISSN 2156-8359], v. 13 (8), 627-656, (Agosto 2022) MIAR ICDS: 6,0 Artículo

Gonzalez, Benito ; De Santi, Carlo; Rampazzo, Fabiana; Meneghini, Matteo; Núñez Ordóñez, Antonio , et al.

Fecha de publicación: 2020

DOI: 10.1109/TED.2020.3028358

Localización: IEEE Transactions on Electron Devices [ISSN 0018-9383], v. 67 (12), p. 5408-5414, (Diciembre 2020)

SJR: 0,828

- Q1

JCR: 2,917

- Q2

SCIE

Artículo

Meco Cabrera, Joaquín Francisco ; Sendino, Consuelo; Lomoschitz Mora-Figueroa, Alejandro ; Núñez Ordóñez, Antonio ; Huertas, María José, et al.

Fecha de publicación: 2022

DOI: 10.4236/ijg.2022.138034

Localización: International Journal Of Geosciences [ISSN 2156-8359], v. 13 (8), 627-656, (Agosto 2022)

MIAR ICDS: 6,0

Artículo