Identificador persistente para citar o vincular este elemento: http://hdl.handle.net/10553/51591
Título: Reactive ion beam etching of aluminum indium antimonide, gallium indium antimonide heterostructures in electron cyclotron resonance methane/hydrogen/ nitrogen/silicon tetrachloride discharges at room temperature
Autores/as: Sendra, J. R. 
Anguita, J.
Pérez-Camacho, J. J.
Briones, F.
Fecha de publicación: 1995
Editor/a: 0003-6951
Publicación seriada: Applied physics letters 
URI: http://hdl.handle.net/10553/51591
ISSN: 0003-6951
DOI: 10.1063/1.115223
Fuente: Applied Physics Letters[ISSN 0003-6951],v. 67, p. 3289
Colección:Artículos
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