Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/10553/6662
Title: Caracterización eléctrica de transistores basados en nitruros
Authors: González, B. 
Gámiz Pérez, Francisco
Tirado Martín, José María
García García, Javier 
UNESCO Clasification: 330719 Transistores
Issue Date: 2007
Journal: Vector Plus 
Abstract: Los transistores más rápidos se consiguen gracias al crecimiento de diferentes semiconductores apilados. Entre los semiconductores es posible confinar una elevada concentración de electrones de alta movilidad, dando lugar a transistores con gran velocidad de respuesta. Cuando se emplea el sistema AlGaN/GaN, los enlaces interatómicos poseen un elevado carácter iónico. Estos iones generan intensos campos eléctricos internos, que inducen entre el AlGaN y el GaN una concentración de electrones de 1013 cm-2, un orden de magnitud superior a la alcanzada con otras estructuras típicas (AlGaAs/GaAs, AlGaAs/InGaAs/GaAs, GaInP/InGaAs/GaAs, etc.). En este artículo se expone un análisis de los aspectos fundamentales relacionados con la distribución de los electrones bajo la puerta de los transistores basados en nitruros.
URI: http://hdl.handle.net/10553/6662
ISSN: 1134-5306
Source: Vector Plus. Las Palmas de Gran Canaria: Fundación Universitaria, 1994- ISSN 1134-5306, n.29, 2007, p. 31
Appears in Collections:Artículos
Vector plus. n.29, 2007 
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