Identificador persistente para citar o vincular este elemento: http://hdl.handle.net/10553/53411
Título: An energy relaxation time model for device simulation
Autores/as: Gonzalez, B 
Palankovski, V
Kosina, H
Hernandez, A
Selberherr, S
Clasificación UNESCO: 3307 Tecnología electrónica
Palabras clave: Energy relaxation time
Simulation
Models
Devices
Compounds
Fecha de publicación: 1999
Editor/a: 0038-1101
Publicación seriada: Solid-State Electronics 
Resumen: We present an empirical model for the electron energy relaxation time. It is based on Monte-Carlo simulation results and is applicable to all relevant diamond and zinc-blende structure semiconductors. The energy relaxation times are expressed as functions of the carrier and lattice temperatures, and in the case of semiconductor alloys, of the material composition.
URI: http://hdl.handle.net/10553/46936
ISSN: 0038-1101
DOI: 10.1016/S0038-1101(99)00132-X
Fuente: Solid-State Electronics[ISSN 0038-1101],v. 43 (9), p. 1791-1795
Colección:Artículos
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