Identificador persistente para citar o vincular este elemento: http://hdl.handle.net/10553/46929
Campo DC Valoridioma
dc.contributor.authorGonzález, Benitoen_US
dc.contributor.authorHernández Ballester, Antonioen_US
dc.contributor.authorGarcía, Javieren_US
dc.contributor.authorDel Pino, F. Javieren_US
dc.contributor.authorSendra, José R.en_US
dc.contributor.authorNunez, Antonioen_US
dc.contributor.otherdel Pino, Javier-
dc.contributor.otherGarcia Garcia, Javier-
dc.date.accessioned2018-11-23T09:29:30Z-
dc.date.available2018-11-23T09:29:30Z-
dc.date.issued2003en_US
dc.identifier.isbn0-8194-4977-6en_US
dc.identifier.issn0277-786Xen_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10553/46929-
dc.description.abstractThis work analyses the DC response of InGaAs channel Modulation Doped Field-Effect Transistors, when varying temperature from 300 to 400 K. An analytic model for the intrinsic drain current is derived from previous work, done for a similar AlGaAs channel device, in order to explicitly show the temperature dependence. The extrinsic resistances are numerically evaluated and added in a straightway form to the model. Experimental output characteristics at different temperatures of an InGaAs HFET in static operation are compared with those offered by the resulting extrinsic model and numerical simulations. Computed relative errors are around 10%.en_US
dc.languageengen_US
dc.relation.ispartofProceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineeringen_US
dc.sourceProceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering[ISSN 0277-786X],v. 5117, p. 527-532en_US
dc.subject3307 Tecnología electrónicaen_US
dc.subject.otherField-Effect Transistorsen_US
dc.subject.otherMedium/High Temperaturesen_US
dc.subject.otherAlgaas/Ingaas Hfetsen_US
dc.subject.otherSimulationen_US
dc.subject.otherHeterostructuresen_US
dc.subject.otherResistanceen_US
dc.subject.otherTransporten_US
dc.titleTemperature in HFETs when operating in DCen_US
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/conferenceObjecten_US
dc.typeConferenceObjecten_US
dc.relation.conferenceConference on VLSI Circuits and Systemsen_US
dc.identifier.doi10.1117/12.501195en_US
dc.identifier.scopus17644438306-
dc.identifier.isi000183950600053-
dcterms.isPartOfVlsi Circuits And Systems-
dcterms.sourceVlsi Circuits And Systems[ISSN 0277-786X],v. 5117, p. 527-537-
dc.contributor.authorscopusid56082155300-
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dc.description.lastpage532en_US
dc.description.firstpage527en_US
dc.relation.volume5117en_US
dc.investigacionIngeniería y Arquitecturaen_US
dc.type2Actas de congresosen_US
dc.identifier.wosWOS:000183950600053-
dc.contributor.daisngid1092737-
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dc.identifier.investigatorRIDA-6677-2008-
dc.identifier.investigatorRIDI-8093-2015-
dc.utils.revisionen_US
dc.contributor.wosstandardWOS:Gonzalez, B-
dc.contributor.wosstandardWOS:Hernandez, A-
dc.contributor.wosstandardWOS:Garcia, J-
dc.contributor.wosstandardWOS:del Pino, FJ-
dc.contributor.wosstandardWOS:Sendra, JR-
dc.contributor.wosstandardWOS:Nunez, A-
dc.date.coverdateSeptiembre 2003en_US
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dc.identifier.ulpgces
dc.contributor.buulpgcBU-TELen_US
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item.fulltextCon texto completo-
crisitem.author.deptGIR IUMA: Tecnología Microelectrónica-
crisitem.author.deptIU de Microelectrónica Aplicada-
crisitem.author.deptDepartamento de Ingeniería Electrónica y Automática-
crisitem.author.deptGIR IUMA: Sistemas de Información y Comunicaciones-
crisitem.author.deptIU de Microelectrónica Aplicada-
crisitem.author.deptDepartamento de Ingeniería Electrónica y Automática-
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crisitem.author.deptGIR IUMA: Tecnología Microelectrónica-
crisitem.author.deptIU de Microelectrónica Aplicada-
crisitem.author.deptDepartamento de Ingeniería Electrónica y Automática-
crisitem.author.deptGIR IUMA: Equipos y Sistemas de Comunicación-
crisitem.author.deptIU de Microelectrónica Aplicada-
crisitem.author.deptGIR IUMA: Sistemas de Información y Comunicaciones-
crisitem.author.deptIU de Microelectrónica Aplicada-
crisitem.author.deptDepartamento de Ingeniería Electrónica y Automática-
crisitem.author.orcid0000-0001-6864-9736-
crisitem.author.orcid0000-0003-3561-0135-
crisitem.author.orcid0000-0003-2610-883X-
crisitem.author.orcid0000-0001-5385-792X-
crisitem.author.orcid0000-0003-1295-1594-
crisitem.author.parentorgIU de Microelectrónica Aplicada-
crisitem.author.parentorgIU de Microelectrónica Aplicada-
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crisitem.author.parentorgIU de Microelectrónica Aplicada-
crisitem.author.parentorgIU de Microelectrónica Aplicada-
crisitem.author.parentorgIU de Microelectrónica Aplicada-
crisitem.author.fullNameGonzález Pérez, Benito-
crisitem.author.fullNameHernández Ballester, Antonio-
crisitem.author.fullNameGarcía García, Javier Agustín-
crisitem.author.fullNameDel Pino Suárez, Francisco Javier-
crisitem.author.fullNameSendra Sendra,José Ramón-
crisitem.author.fullNameNúñez Ordóñez, Antonio-
crisitem.event.eventsstartdate19-05-2003-
crisitem.event.eventsenddate21-05-2003-
Colección:Actas de congresos
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