Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/10553/46921
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dc.contributor.authorAmselem, E.en_US
dc.contributor.authorGonzález, B.en_US
dc.contributor.authorGarcía, J.en_US
dc.contributor.authorAldea, I.en_US
dc.contributor.authorMarrero Martín, Margarita Luisaen_US
dc.contributor.authorIturri, A. G.en_US
dc.contributor.authorDel Pino, J.en_US
dc.contributor.authorKhemchandani, S. L.en_US
dc.contributor.authorHernández Ballester, Antonioen_US
dc.contributor.otherGarcia Garcia, Javier-
dc.contributor.otherdel Pino, Javier-
dc.date.accessioned2018-11-23T09:25:48Z-
dc.date.available2018-11-23T09:25:48Z-
dc.date.issued2007en_US
dc.identifier.isbn978-1-4244-0868-9en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10553/46921-
dc.description.abstractDriven by the many applications that varactors have in RF integrated blocks, this work analyzes the influence of gate geometry (width and length) on integrated accumulation MOS varactors. For this purpose, a number of varactors have been designed and fabricated on a 0.8 mu m CMOS standard technology. The most relevant parameters: quality factor, tuning range, and capacitance, are simulated and compared against measurements. Some design considerations are reported.en_US
dc.languageengen_US
dc.relation.ispartof2007 Spanish Conference on Electron Devices, Proceedingsen_US
dc.source2007 Spanish Conference on Electron Devices, Proceedings (4271170), p. 68-71en_US
dc.subject3307 Tecnología electrónicaen_US
dc.subject.otherCMOS integrated circuitsen_US
dc.subject.otherMOS integrated circuitsen_US
dc.subject.otherradiofrequency integrated circuitsen_US
dc.subject.otherVaractorsen_US
dc.titleInfluence of gate geometry in integrated MOS varactors on accumulation mode for RFen_US
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/conferenceObjecten_US
dc.typeConferenceObjecten_US
dc.relation.conference6th Spanish Conference on Electron Devicesen_US
dc.identifier.doi10.1109/SCED.2007.383997en_US
dc.identifier.scopus35148843405-
dc.identifier.isi000248485700018-
dcterms.isPartOf2007 Spanish Conference On Electron Devices, Proceedings-
dcterms.source2007 Spanish Conference On Electron Devices, Proceedings, p. 68-+-
dc.contributor.authorscopusid22633788800-
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dc.contributor.authorscopusid8383160900-
dc.contributor.authorscopusid22633657000-
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dc.contributor.authorscopusid56740582700-
dc.contributor.authorscopusid9639770800-
dc.contributor.authorscopusid57194681887-
dc.description.lastpage71en_US
dc.identifier.issue4271170-
dc.description.firstpage68en_US
dc.investigacionIngeniería y Arquitecturaen_US
dc.type2Actas de congresosen_US
dc.identifier.wosWOS:000248485700018-
dc.contributor.daisngid2676960-
dc.contributor.daisngid1092737-
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dc.contributor.daisngid2061817-
dc.contributor.daisngid19638915-
dc.identifier.investigatorRIDI-8093-2015-
dc.identifier.investigatorRIDA-6677-2008-
dc.utils.revisionen_US
dc.contributor.wosstandardWOS:Amselem, E-
dc.contributor.wosstandardWOS:Gonzalez, B-
dc.contributor.wosstandardWOS:Garcia, J-
dc.contributor.wosstandardWOS:Aldea, I-
dc.contributor.wosstandardWOS:Marrero, M-
dc.contributor.wosstandardWOS:Iturri, AG-
dc.contributor.wosstandardWOS:del Pino, J-
dc.contributor.wosstandardWOS:Khemchandani, SL-
dc.contributor.wosstandardWOS:Hernandez, A-
dc.date.coverdate2007en_US
dc.identifier.conferenceidevents120566-
dc.identifier.ulpgces
dc.contributor.buulpgcBU-TELen_US
item.grantfulltextnone-
item.fulltextSin texto completo-
crisitem.author.deptGIR IUMA: Tecnología Microelectrónica-
crisitem.author.deptIU de Microelectrónica Aplicada-
crisitem.author.deptDepartamento de Ingeniería Electrónica y Automática-
crisitem.author.deptGIR IUMA: Sistemas de Información y Comunicaciones-
crisitem.author.deptIU de Microelectrónica Aplicada-
crisitem.author.deptDepartamento de Ingeniería Electrónica y Automática-
crisitem.author.deptGIR IUMA: Equipos y Sistemas de Comunicación-
crisitem.author.deptIU de Microelectrónica Aplicada-
crisitem.author.deptDepartamento de Ingeniería Electrónica y Automática-
crisitem.author.deptGIR IUMA: Tecnología Microelectrónica-
crisitem.author.deptIU de Microelectrónica Aplicada-
crisitem.author.deptDepartamento de Ingeniería Electrónica y Automática-
crisitem.author.deptGIR IUMA: Tecnología Microelectrónica-
crisitem.author.deptIU de Microelectrónica Aplicada-
crisitem.author.deptDepartamento de Ingeniería Electrónica y Automática-
crisitem.author.deptGIR IUMA: Sistemas de Información y Comunicaciones-
crisitem.author.deptIU de Microelectrónica Aplicada-
crisitem.author.deptDepartamento de Ingeniería Electrónica y Automática-
crisitem.author.orcid0000-0001-6864-9736-
crisitem.author.orcid0000-0003-3561-0135-
crisitem.author.orcid0000-0002-0861-9954-
crisitem.author.orcid0000-0003-2610-883X-
crisitem.author.orcid0000-0003-0087-2370-
crisitem.author.parentorgIU de Microelectrónica Aplicada-
crisitem.author.parentorgIU de Microelectrónica Aplicada-
crisitem.author.parentorgIU de Microelectrónica Aplicada-
crisitem.author.parentorgIU de Microelectrónica Aplicada-
crisitem.author.parentorgIU de Microelectrónica Aplicada-
crisitem.author.parentorgIU de Microelectrónica Aplicada-
crisitem.author.fullNameGonzález Pérez, Benito-
crisitem.author.fullNameGarcía García, Javier Agustín-
crisitem.author.fullNameMarrero Martín, Margarita Luisa-
crisitem.author.fullNameDel Pino Suárez, Francisco Javier-
crisitem.author.fullNameKhemchandani Lalchand, Sunil-
crisitem.author.fullNameHernández Ballester, Antonio-
crisitem.event.eventsstartdate31-01-2007-
crisitem.event.eventsenddate02-02-2007-
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