Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/10553/45092
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dc.contributor.authorLópez Feliciano, Joséen_US
dc.contributor.authorEshraghian, K.en_US
dc.contributor.authorSarmiento, R.en_US
dc.contributor.authorNúñez, A.en_US
dc.contributor.otherLopez, Jose-
dc.contributor.otherSarmiento, Roberto-
dc.date.accessioned2018-11-22T07:12:27Z-
dc.date.available2018-11-22T07:12:27Z-
dc.date.issued1996en_US
dc.identifier.issn0013-5194en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10553/45092-
dc.description.abstractA new GaAs logic family, pseudo-dynamic latched logic (PDLL). is introduced. Compared with traditional static GaAs logic families, PDLL allows complex gate design with less power dissipation. In addition, it overcomes problems associated with charge degradation in the storage nodes in dynamic logic gates, and operates at relatively high temperatures. PDLL is self-latched which leads to the possibility of implementing compact pipeline systems.en_US
dc.languageengen_US
dc.publisher0013-5194
dc.relation.ispartofElectronics lettersen_US
dc.sourceElectronics Letters[ISSN 0013-5194],v. 32, p. 1353-1354en_US
dc.subject3307 Tecnología electrónicaen_US
dc.subject.otherGallium compoundsen_US
dc.subject.otherPipeline processingen_US
dc.subject.otherIntegrated circuit designen_US
dc.subject.otherIntegrated circuit noiseen_US
dc.subject.otherFET logic devicesen_US
dc.titleGallium arsenide pseudo-dynamic latched logicen_US
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/Articleen_US
dc.typeArticleen_US
dc.identifier.doi10.1049/el:19960926en_US
dc.identifier.scopus3042974300-
dc.identifier.isiA1996VA51300019-
dcterms.isPartOfElectronics Letters
dcterms.sourceElectronics Letters[ISSN 0013-5194],v. 32 (15), p. 1353-1354
dc.contributor.authorscopusid7404444793-
dc.contributor.authorscopusid7007041524-
dc.contributor.authorscopusid35609452100-
dc.contributor.authorscopusid7103279517-
dc.description.lastpage1354en_US
dc.description.firstpage1353en_US
dc.relation.volume32en_US
dc.investigacionIngeniería y Arquitecturaen_US
dc.type2Artículoen_US
dc.identifier.wosWOS:A1996VA51300019-
dc.contributor.daisngid846472-
dc.contributor.daisngid228382-
dc.contributor.daisngid30404478-
dc.contributor.daisngid116294-
dc.contributor.daisngid33795-
dc.identifier.investigatorRIDL-6046-2014-
dc.identifier.investigatorRIDL-6017-2014-
dc.utils.revisionen_US
dc.contributor.wosstandardWOS:Lopez, JF-
dc.contributor.wosstandardWOS:Eshraghian, K-
dc.contributor.wosstandardWOS:Sarmiento, R-
dc.contributor.wosstandardWOS:Nunez, A-
dc.date.coverdateJulio 1996en_US
dc.identifier.ulpgcen_US
dc.contributor.buulpgcBU-INGen_US
dc.description.scieSCIE
item.grantfulltextnone-
item.fulltextSin texto completo-
crisitem.author.deptGIR IUMA: Diseño de Sistemas Electrónicos Integrados para el procesamiento de datos-
crisitem.author.deptIU de Microelectrónica Aplicada-
crisitem.author.deptDepartamento de Ingeniería Electrónica y Automática-
crisitem.author.deptGIR IUMA: Diseño de Sistemas Electrónicos Integrados para el procesamiento de datos-
crisitem.author.deptIU de Microelectrónica Aplicada-
crisitem.author.deptDepartamento de Ingeniería Electrónica y Automática-
crisitem.author.deptGIR IUMA: Sistemas de Información y Comunicaciones-
crisitem.author.deptIU de Microelectrónica Aplicada-
crisitem.author.deptDepartamento de Ingeniería Electrónica y Automática-
crisitem.author.orcid0000-0002-6304-2801-
crisitem.author.orcid0000-0002-4843-0507-
crisitem.author.orcid0000-0003-1295-1594-
crisitem.author.parentorgIU de Microelectrónica Aplicada-
crisitem.author.parentorgIU de Microelectrónica Aplicada-
crisitem.author.parentorgIU de Microelectrónica Aplicada-
crisitem.author.fullNameLópez Feliciano, José Francisco-
crisitem.author.fullNameSarmiento Rodríguez, Roberto-
crisitem.author.fullNameNúñez Ordóñez, Antonio-
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