Identificador persistente para citar o vincular este elemento: http://hdl.handle.net/10553/17067
Campo DC Valoridioma
dc.contributor.advisorDel Pino Suárez, Francisco Javier-
dc.contributor.advisorGoñi Iturri, Amaya-
dc.contributor.authorMartín Ramírez, Gustavo-
dc.contributor.otherEscuela de Ingeniería de Telecomunicación y Electrónicaen_US
dc.date.accessioned2016-05-20T12:32:49Z-
dc.date.accessioned2018-06-15T09:24:31Z-
dc.date.available2016-05-20T12:32:49Z-
dc.date.available2018-06-15T09:24:31Z-
dc.date.issued2007en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10553/17067-
dc.description.abstractA lo largo de este capítulo se ha conseguido obtener una visión más profunda de las posibilidades que ofrece la tecnología S35D4 de AMS para la implementación de sistemas integrados para radiofrecuencia. Una vez completado el estudio teórico de los amplificadores distribuidos y conocida la tecnología a emplear, en el próximo capítulo se comenzará desarrollar el diseño del amplificador distribuido a nivel de esquemático.en_US
dc.languagespaen_US
dc.subject3325 Tecnología de las telecomunicacionesen_US
dc.titleDiseño de un amplificador distribuido en tecnología SiGe 0.35 µm para Ultra Wide Banden_US
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/bachelorThesisen_US
dc.typeBachelorThesisen_US
dc.contributor.departamentoDepartamento de Ingeniería Electrónica Y Automáticaen_US
dc.identifier.absysnet497761-
dc.investigacionIngeniería y Arquitecturaen_US
dc.rights.accessrightsinfo:eu-repo/semantics/openAccesses
dc.type2Proyecto fin de carreraen_US
dc.utils.revisionen_US
dc.identifier.matriculaTFT-17628es
dc.identifier.ulpgcen_US
dc.contributor.buulpgcBU-TELen_US
dc.contributor.titulacionIngeniero Técnico de Telecomunicación, especialidad en Sistemas Electrónicoses
item.grantfulltextopen-
item.fulltextCon texto completo-
crisitem.advisor.deptGIR IUMA: Tecnología Microelectrónica-
crisitem.advisor.deptIU de Microelectrónica Aplicada-
crisitem.advisor.deptDepartamento de Ingeniería Electrónica y Automática-
Colección:Proyecto fin de carrera
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