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Abbott, D; Davis, B; Gonzalez, B ; Hernández Ballester, Antonio ; Eshraghian, K Fecha de publicación: 1998 Localización: Solid-State Electronics[ISSN 0038-1101],v. 42 (5), p. 809-816 JCR: 0,883 - Q1 SCIE Artículo
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Gonzalez, B ; Palankovski, V; Kosina, H; Hernandez, A; Selberherr, S Fecha de publicación: 1999 Localización: Solid-State Electronics[ISSN 0038-1101],v. 43 (9), p. 1791-1795 JCR: 0,928 - Q2 SCIE Artículo
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Roldán, J. B.; González, B. ; Iñiguez, B.; Roldán, A. M.; Lázaro, A., et al. Fecha de publicación: 2013 Localización: Solid-State Electronics[ISSN 0038-1101],v. 79, p. 179-184 SJR: 0,783 - Q1 JCR: 1,514 - Q2 SCIE Artículo
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Marrero-Martín, M. ; González, B. ; García, J. ; Hernández Ballester, Antonio Fecha de publicación: 2015 Localización: Solid-State Electronics[ISSN 0038-1101],v. 103, p. 104-109 SJR: 0,642 - Q1 JCR: 1,345 - Q2 SCIE Artículo
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Rodríguez Hernández, R.; González, B. ; García, J. ; Núñez, A. Fecha de publicación: 2017 Localización: Solid-State Electronics[ISSN 0038-1101],v. 137, p. 44-51 SJR: 0,492 - Q2 JCR: 1,666 - Q3 SCIE Artículo
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