Identificador persistente para citar o vincular este elemento: http://hdl.handle.net/10553/57620
Título: Estrategia de dimensionado para matrices de memorias ROM en Arseniuro de galio
Autores/as: López Feliciano, Jose Francisco 
Montiel Nelson, Juan Antonio 
Sarmiento, Roberto 
Núñez Ordóñez, Antonio 
Clasificación UNESCO: 3307 Tecnología electrónica
Fecha de publicación: 1994
Resumen: En este artículo se propone una técnica de dimensionado en la matriz de ROMs en Arseniuro de galio. Esta técnica consiste básicamente en modificar la relación de aspecto de forma que se reduzca el efecto de las elevadas corrientes de fuga generadas en puestas de alto fan-in. Este tipo de corrientes, en lógica GaAs, hace que en la realización de memorias ROM se encuentren problemas para mantener los márgenes de ruido conforme aumenta la capacidad de almacenamiento. Como circuito de validación se presenta el diseño de una ROM de 2K-bits para aplicación de un Sintetizador Digital Directo.
URI: http://hdl.handle.net/10553/57620
Fuente: Actas del IX Congreso de Diseño de Circuitos Integrados, 9, 10 y 11 de noviembre de 1994, Maspalomas, Gran Canaria, p. 505-510
URL: http://dialnet.unirioja.es/servlet/articulo?codigo=6450569
Colección:Capítulo de libro
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