Identificador persistente para citar o vincular este elemento:
http://hdl.handle.net/10553/76520
Título: | Comportamiento del CuInSe2 basado en precursores electrodepositados como absorbente fotovoltaico en células solares de lámina delgada | Otros títulos: | Behavior of Electrochemically Prepared CuInSe2 as Photovoltaic Absorber in thin Film Solar Cells | Autores/as: | Guillén, C. Martínez, M. A. Doña, J. M. Herrero, J. Gutiérrez, M. T. |
Clasificación UNESCO: | 2307 Química física | Palabras clave: | Photovoltaics Cells Thin films Semiconductors Chemical deposition Electrodeposition |
Fecha de publicación: | 2000 | Proyectos: | Desarrollo de dispositivos fotovoltaicos en lámina delgada basados en seleniuro de cobre, indio y galio (ENDESA) | Publicación seriada: | Informes técnicos CIEMAT | Resumen: | En el transcurso del presente trabajo de investigation se ban perseguido dos objetivos principales: 1) optimizar los parametros de preparacidn de CuInSe2 a partir de precursors electrodepositados, y 2) evaluar el comportamiento fotovoltaico del material obtenido mediante la preparacidn y el perfecciona- miento de dispositivos del tipo Mo/CuInSe2/CdS/OCT. Cuando los precursores Cu-In-Se del absorbente se preparan mediante electrodeposito directo, resulta esencial ajustar el potencial aplicado para mejorar las caracteristicas fotovoltaicas de las celulas. Tambien se ha obtenido un absorbente adecuado mediante la evaporacion de una capa de In sobre precursores Cu-Se electrodepositados, en cuyo caso la temperatura a la que se mantiene el substrate durante la evaporacion determina la calidad del CuInSe2 y las celulas. Resultados similares se ban obtenido al sustituir el substrate convencional de Mo en lamina delgada sobre vidrio por chapas flexibles de Mo. Asimismo, los distintos OCT utilizados (ZnO e ITO) se ban mostrado equivalentes como contacto electrico frontal en los dispositivos desarrollados. Las celulas estudiadas ban mostrado una mejora en su eficiencia tras un recocido en aire a 200 °C. Two different objectives have been pursued in the present investigation: 1) optimization of the CuInSe2 preparation parameters from electrodeposited precursors, and 2) evaluation of their photovoltaic behavior by preparing and enhancing Mo/CuInSe2/CdS/TCO devices. When Cu-In-Se precursors are directly electrodeposited, the applied potential fit is essential to improve the photovoltaic performance. Suitable absorbers have been also obtained by evaporating an In layer onto electrodeposited Cu-Se precursors. In this case, the substrate temperature during evaporation determines the CuInSe2 quality. Similar results have been reached by substituting typical Mo-coated glass substrates by flexible Mo foils. Different TCO tested (ZnO and ITO) have been found equivalent as front electrical contact in the devices. Solar cell performance can be improved by annealing in air at 200 °C. |
URI: | http://hdl.handle.net/10553/76520 | ISSN: | 1135-9420 | Fuente: | Informes técnicos CIEMAT [ISSN 1135-9420], n. 941, 38 p. |
Colección: | Informe técnico |
Los elementos en ULPGC accedaCRIS están protegidos por derechos de autor con todos los derechos reservados, a menos que se indique lo contrario.