Simulación y modelado de la influencia de la temperatura en un transitor N-MOS en estática

Identificador persistente para citar o vincular este elemento: http://hdl.handle.net/10553/61626

Campo DC	Valor	idioma
dc.contributor.advisor	González Pérez, Benito	-
dc.contributor.author	Riverol Gómez, José Luis	-
dc.date.accessioned	2020-01-21T08:33:53Z	-
dc.date.available	2007-06-06T00:00:00Z	-
dc.date.available	2020-01-21T08:33:53Z	-
dc.date.issued	2001	en_US
dc.identifier.other	contentdm-postulpgc	-
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/10553/61626	-
dc.format	PDF	-
dc.format.mimetype	300 ppp., TIFF sin compresión	-
dc.language	spa	en_US
dc.rights	Acceso restringido para la comunidad universitaria de la ULPGC	-
dc.subject	3325 Tecnología de las telecomunicaciones	-
dc.subject.other	Electrónica	-
dc.subject.other	Telecomunicaciones	-
dc.title	Simulación y modelado de la influencia de la temperatura en un transitor N-MOS en estática	en_US
dc.type	info:eu-repo/semantics/studentThesis	en_US
dc.type	StudentThesis	en_US
dc.identifier.absysnet	254980	-
dc.type2	Proyecto fin de carrera	en_US
dc.identifier.currens	646	-
dc.identifier.currens	1717	-
dc.description.numberofpages	136 p.	-
dc.utils.revision	Sí	-
dc.identifier.matricula	TFT-10560	-
dc.identifier.ulpgc	Sí	-
dc.contributor.buulpgc	BU-TEL	en_US
dc.contributor.titulacion	Ingeniero Técnico de Telecomunicación	-
item.grantfulltext	restricted	-
item.fulltext	Con texto completo	-
crisitem.advisor.dept	GIR IUMA: Tecnología Microelectrónica	-
crisitem.advisor.dept	IU de Microelectrónica Aplicada	-
crisitem.advisor.dept	Departamento de Ingeniería Electrónica y Automática	-
Colección:	Proyecto fin de carrera Restringido ULPGC

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