Identificador persistente para citar o vincular este elemento:
http://hdl.handle.net/10553/2717
Título: | Simulación eléctrica de dispositivos de heteroestructuras mediante el simulador eléctrico APLAC | Autores/as: | Quintana Ramírez, Nauzet | Director/a : | Pino Suárez, Francisco Javier del Hernández Ballester, Antonio |
Clasificación UNESCO: | 3325 Tecnología de las telecomunicaciones | Fecha de publicación: | 2009 | Resumen: | La memoria de este trabajo fin de carrera está dividida en 6 capítulos. En el primer capítulo presentamos una introducción al simulador de nueva generación APLAC. En el capítulo 2 se describen las características generales de APLAC. Así mismo se hará una descripción detallada del lenguaje APLAC y de su capacidad de modelado. En los capítulos 3 y 4 se hace un estudio de la estructura básica y de los principios de funcionamiento de los dispositivos de heteroestructura a modelar. Como resultado de esta fase se tendrá un conocimiento completo del modelo de Angelov para el HFET. En el capítulo 5 se analizan varias metodologías para la implementación de los dispositivos HFETs en el simulador APLAC además de un estudio de los estarnentos y componentes básicos para la realización de la implementación. Se hace una descripción detallada de VCCS (Voltage-Controlled Current Source), que es el elemento básico de modelado en APLAC Finalmente, en el capítulo 6 validamos los resultados obtenidos realizando una comparación de las simulaciones obtenidas en APLAC y las obtenidas por IASPICE. En dicho capítulo se presentarán también las conclusiones que se extraen de este trabajo. | Facultad: | Escuela de Ingeniería de Telecomunicación y Electrónica | Titulación: | Ingeniero Técnico de Telecomunicación | URI: | http://hdl.handle.net/10553/2717 |
Colección: | Proyecto fin de carrera |
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