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Título
Año
Thermal resistance characterization for multifinger SOI-MOSFETs
Gonzalez, Benito
; Rodriguez, Raul
; Lázaro, Antonio
Fecha de publicación: 2018
DOI:
10.1109/TED.2018.2853799
Localización:
IEEE Transactions on Electron Devices[ISSN 0018-9383],v. 65 (8419075), p. 3626-3632
SJR:
0,853
-
Q1
JCR:
2,704
-
Q2
SCIE
Artículo
Gate Geometry-Dependent Thermal Impedance of Depletion Mode HEMTs
Gonzalez, Benito
; Lazaro, Antonio; Rodriguez, Raul
Fecha de publicación: 2023
DOI:
10.1109/TED.2023.3305313
Localización:
IEEE Transactions on Electron Devices[ISSN 0018-9383], (Enero 2023)
SJR:
0,773
-
Q2
JCR:
3,1
-
Q2
SCIE
MIAR ICDS:
11,0
Artículo